Тест-драйв Volkswagen T6 (Transporter) 2015 року. Огляди, відео, думка експертів на Automoto.ua

Якщо зовнішність нинішнього, шостого по рахунку, покоління Volkswagen Transporter T6 здається Вам до болю знайомою, це скоріше за все тому, що компанія дотримується політики «якщо не зламано, нащо лагодити». Шасі та решта основних елементів залишились незмінними, таким чином фургон постав перед нами з тими самими габаритами та можливостями, які пропонувало п’яте покоління. Особливо прискіпливі покупці або давні шанувальники автомобіля все ж побачать різницю, якщо поставити Т5 та Т6 пліч-о-пліч, помітно, що останній має оновлені бампери та фари. Це зовсім непогано. Сучасний T6 пропонує пристойну економію пального, високу якість, місткість зі значним зниженням шуму салону. До того ж, новенькі фургони отримали світлодіодні денні ходові вогні. Фургони 2015 року можна обрати у двох варіантах колісної  бази, трьох варіантах висоти, чотирьох варіантах вантажопідйомності і це не враховуючи версії з цільнометалевим корпусом та конфігурацій Kombi, Shuttle, Caravelle та California. Лінійка двигунів запозичена у Golf. Водій отримує системи допомоги та безпеки, які зустрічаються у легкових автомобілях, включно з адаптивним круїз-контролем, автоматичним гальмуванням в межах міста та системою після аварійного гальмування. До бази фургону також увійшла система контролю стану водія, яка подає візуальні та аудіо сигнали в разі виявлення зміни у поведінці водія. З шостим поколінням Transporter компанія зробила серйозну заявку.

Враження від їзди

Приємно, що цей міцний та надійний фургон гарантує водійський досвід, притаманний легковим автомобілям. Навіть без вантажу T6 їздить вкрай спокійно та виважено, а водія не доймає шум двигуна, вітру або дороги. Їзда стає жорсткішою, якщо намагатись видавити з дизельного двигуна максимум, але, на щастя, до такого стану силовий агрегат доводити не доведеться, завдяки достатньому крутному моменту, який досягається на низьких обертах. Якість їзди типова для Volkswagen без надмірної вібрації. Водіям зі значним зростом, між тим, зручну позицію буде знайти не так легко, оскільки сидіння не посувається достатньо назад. У решті аспектів сучасний T6 відчувається як легковий автомобіль. Рульове управління напрочуд легке, а педалі добре налаштовані. На вибір водія представлено чималий силовий перелік дизельних та бензинових двигунів, які гарантують не лише хороший рівень потужності, а й вражаючу економію. Завдяки такій силовій підтримці, фургон легко справляється зі значним навантаженням та пересуванням у напруженому міському трафіку.  

Детально про автомобіль Volkswagen Transporter T6

нажмите на фото для просмотра в полноэкранном режиме

Інтер’єр

Компанія Volkswagen не пішла на те, щоб оздобити салон та вантажне відділення Т6 більш приємним пластиком. Тому, незважаючи на те, що фургон вважається одним із найкращих у класі, в плані функціональності, витривалості та зовнішньої привабливості, всередині Ви не знайдете поверхонь, вкритих м’якими матеріалами. Зрозуміло, що фургон має бути практичним, але чому він має бути настільки утилітарно оздобленим?! Мультимедійна система перекочувала у фургон з легкових автомобілів Volkswagen. А оскільки вона вважається однією з найкращих у класі, водій, безумовно, отримає позитивні враження від використання. Тим, хто прагне отримати як можна більше внутрішнього простору, слід бути готовим до того, що Т6, як і його попередник Т5, не вважається найпросторішим фургоном у класі. Ніяких змін у довжині, об’ємі або вантажомісткості багажного відділення не відбулось. Це означає, що фургон вміщує три піддони, здатний витримати 2500 кг маси причепа та 1331 кг корисного навантаження. Максимальна довжина вантажного відсіку складає 9.3 м3. Як і колись Ви можете обрати одну з двох версій колісної бази, трьох версій висоти даху та двох конфігурацій сидінь. Модель Kombi пропонує декілька варіантів висоти кабіни. На своїх місцях залишились і бічні розсувні двері, а задні навісні двері відкриваються на 250о. Для фіксації вантажу передбачені шість кріпильних точок. Підлога вантажного відділення низька, що полегшує переміщення речей. Завантажувати або розвантажувати речі можна і у темну пору доби, оскільки вантажний відсік оснащений верхнім освітленням.  

Базова комплектація та опційне обладнання

Незважаючи на кількість версій та конфігурацій, представлений Т6 лише у двох комплектаціях: Startline та Highline. Модель Startline постачається з Bluetooth, 5-дюймовим дисплеєм інформаційно-розважальної системи, USB, функцією дистанційного закривання, системою оповіщення водія та системою допомоги при старті на схилі. Про те, що Startline базова модель, нагадують чорні пластикові бампери та сталеві диски. Модель Highline, натомість, отримала: бампери, пофарбовані у колір кузова, та литі диски. У базі цієї моделі передбачені: клімат-контроль, автоматичні фари та склоочисники, лобове скло і бічні дзеркала з підігрівом, шкіряне кермо та важіль перемикання передач, круїз-контроль та сенсори паркування. Як опція запропоновані декілька кольорів екстер’єру. Доступна також чимала кількість систем безпеки, включаючи аварійну зупинку у межах міста та активний круїз-контроль.

Під капотом

У водія буде дуже широкий вибір силових агрегатів. Традиційно для фургонів, левову частку силового переліку складають дизельні двигуни. Між тим, представлено і 2.0-літровий чотирициліндровий бензиновий силовий агрегат на 204 кінських сили. З ним автомобіль розганяється за 8.4 секунд. Максимальна швидкість обмежується 202 км/год. Пару двигуну складає семиступінчаста автоматична коробка передач. Дизельний перелік починається з 2.0-літрового чотирициліндрового TDI двигуна на 84 конячки. Загалом показники розгону та витрати пального залежать від версії автомобіля. Так L1h2 та L2h2 з ним розганяються за 19.7 секунд, витрачаючи 6.7 л/100км у змішаному циклі. Компонується двигун п’ятиступінчастою механічною коробкою. Модель L2h3 розганяється за тих же 19.8 секунд, але витрачає 7.4 л/100км. У свою чергу модель L1h3 демонструє 19.8 секунд розгону та 7.0 л/100км витрати пального. Продовжує дизельний перелік 2.0-літровий чотирициліндровий TDI на 102 конячки. Модель L1h2 з ним розганяється за 15.3 секунд. Витрата пального становить 6.7 л/100км. У пару двигун отримав п’ятиступінчасту механічну коробку. Модель L2h3 демонструє показник розгону на рівні 12.3 секунд, витрати пального – 7.6 л/100км. Сотні з цим двигуном модель L1H досягає за 15.4 секунд, витрачаючи 7.0 л/100км. Модель L2h2 потішить водія розгоном за 13.5 секунд та витратою пального на рівні 7.5 л/100км. Наступним у переліку йде 2.0-літровий чотирициліндровий двигун на 140 кінських сил. З ним, як і з рештою двигунів, показники залежать від моделі автомобіля. Єдине, що відрізняє його від попередників, це сполучуваність з шестиступінчастою механічною коробкою та доступність повного приводу. Більш потужною версією 2.0-літрового двигуна є TDI з 150 конячками. Їй дісталась семиступінчаста автоматична коробка передач. Крім того, у даному випадку можливо обрати повний привід. Найпотужнішим серед дизельних двигунів є 2.0-літровий чотирициліндровий TDI на 180 кінських сил. Його можна доповнити як шестиступінчастою механічною, так і семиступінчастою автоматичною коробками передач.

Попередній огляд

Огляд тест-драйву: Toyota Previa

Наступний огляд

Огляд тест-драйву: Peugeot Partner Tepee 2015

Поділитися:

Вас також може зацікавити

Недавние тест-драйвы

Огляд Ford EcoSport 2022: неоднозначний вибір

13. 09.2022

Огляд Audi Q5 2022: золота середина

14.09.2022

BMW X7 2022: люкс для сім’ї

08.09.2022

Огляд Jeep Compass 2022: позашляховий характер

05.09.2022

Огляд Cadillac XT5 2022: солідний і практичний

02.09.2022

Огляд Chevrolet Traverse 2022: розумний вибір

30.08.2022

Огляд Toyota C-HR 2022: яскравий стиль

29.08.2022

Електромобіль BMW iX 2022: огляд авто

26. 08.2022

Огляд Volvo S90 2022: преміальний мінімалізм

24.08.2022

Електромобіль Renault Zoe 2022: огляд авто

18.08.2022

Steyr Automotive опроверг планы по покупке российского завода Volkswagen — РБК

www.adv.rbc.ru

www.adv.rbc.ru

www.adv.rbc.ru

Скрыть баннеры

Ваше местоположение ?

ДаВыбрать другое

Рубрики

Курс евро на 16 сентября
EUR ЦБ: 59,62

(-0,22)

Инвестиции, 15 сен, 15:53

Курс доллара на 16 сентября
USD ЦБ: 59,67

(-0,11)

Инвестиции, 15 сен, 15:53

Парламент Казахстана одобрил однократный семилетний президентский срок

Политика, 08:03

Военная операция на Украине. Онлайн

Политика, 08:00

«Мы потеряли волшебника». Как Роджер Федерер изменил теннис

Спорт, 08:00

www.adv.rbc.ru

www.adv.rbc.ru

Краткий путеводитель по ESG стран Азии и Ближнего Востока

РБК и Сбер, 07:58

Киргизия и Таджикистан договорились о прекращении огня

Политика, 07:50

Стоит ли ждать волны дефолтов на российском рынке облигаций

Pro, 07:30

Штрафы для богатых: как сделать справедливыми наказания для водителей

Партнерский проект, 07:25

Посол заявил, что Украине придет быстрый конец в случае настоящей войны

Политика, 07:19

Новости, которые вас точно касаются

Самое актуальное о ценах, штрафах и кредитах — в одном письме каждый будний день.

Подписаться за 99 ₽ в месяц

«Вести «Голос» было страшно». Гузеева о будущем ТВ и «сбитых летчиках»

Life, 07:00

Рядом с Эльгой построят нацпарк для минимизации «конфликтных ситуаций»

Общество, 07:00

Хватит ли IT-специалистов для развития бизнеса в России

РБК и S+Консалтинг, 06:30

Из приграничных сел Киргизии началась эвакуация из-за обстрелов

Политика, 06:28

Папа Франциск назвал Запад «самым большим кладбищем человечества»

Политика, 05:56

В Валуйках восстановили подачу электричества после обстрела

Политика, 05:13

www. adv.rbc.ru

www.adv.rbc.ru

www.adv.rbc.ru

«Выгодное начало» от

Ваш доход

0 ₽

Ставка

0%

Подробнее

БАНК ВТБ (ПАО). Реклама. 0+

Австрийский концерн Steyr Automotive опроверг сообщения об участии в переговорах по покупке российских активов Volkswagen. В начале марта производство автомобилей на заводах в России было приостановлено

Фото: Михаил Гребенщиков / РБК

У Steyr Automotive нет планов выкупить российский завод Volkswagen у его текущих акционеров, сообщили «Известиям» в пресс-службе австрийского автомобильного концерна.

«Steyr Automotive GmbH не участвует в вышеупомянутых сделках или планах и не имеет ни обязательств, ни намерений в этом направлении», — заявил представитель Steyr Automotive.

РБК направил запрос в пресс-службу Steyr Automotive.

www.adv.rbc.ru

Так в концерне прокомментировали статью New Europe, в которой со ссылкой на неназванные российские СМИ говорилось, что Volkswagen AG может продать Steyr Automotive свой российский бизнес, «включая сборочный завод и производителя двигателей внутреннего сгорания».

www.adv.rbc.ru

Ссылаясь на источники, издание сообщило, что Steyr намерен возобновить производство автомобилей VW в России, но под другим брендом. При этом, как пишет New Europe, производственными площадками Volkswagen в России будет управлять Группа ГАЗ, на мощностях которой в Нижнем Новгороде собирались ряд автомобилей, а сам немецкий концерн продолжит поставлять комплектующие и запчасти в страну, а также оказывать инженерные услуги.

В пресс-службе Группы ГАЗ сообщили РБК, что не располагают информацией о планах Volkswagen «относительно изменения статуса владения собственными активами Volkswagen в России». Изданию, распространившему некорректную информацию, была направлена претензия, добавили в ней.

В России Volkswagen собирает свои машины на двух заводах: с 2007 года на собственном производстве в Калуге и с 2012 года — по контракту на площадке Группы ГАЗ в Нижнем Новгороде. В начале марта эти заводы приостановили работу, тогда же концерн объявил о прекращении поставок автомобилей в Россию.

В конце июля источник «Ведомостей» сообщил, что Volkswagen Group Rus ищет покупателя на свой калужский завод и им может стать компания «Азия Авто» из Казахстана. Представитель компании тогда отметил, что VW рассматривает различные сценарии, однако никаких решений не принято.

Авторы

Теги

Виктория Полякова,

Тимофей Дзядко

При участии

Алена Прохоренко

«Выгодное начало» от

Ваш доход

0 ₽

Ставка

0%

Подробнее

БАНК ВТБ (ПАО). Реклама. 0+

Bloomberg: нефтяные доходы России сократились до минимума с марта

два дня назад в 15:45

Экономика

Сюжет: ДНР, ЛНР, Украина: обострение

5214

Поделиться

Источник: скриншот

Агентство Bloomberg со ссылкой на данные отчета Международного энергетического агентства сообщило, что доходы РФ от экспорта нефти в августе 2022 года сократились до минимального с марта значения в $17,7 млрд.

Уровень доходов оказался на $1,2 млрд меньше, чем в июле, причем, как отмечает агентство, снижение произошло на фоне ежедневного роста экспорта из России на 220 тыс. баррелей — до уровня 7,6 млн баррелей в сутки.

Вместе с тем, Bloomberg отмечает, что снижение цен на нефть с избытком компенсировало увеличение поставок за рубеж, а добыча и экспорт нефти в РФ оказались устойчивыми.

«Уровни августа всего на 400-450 тыс. баррелей в сутки ниже показателей конца февраля — начала марта. Несмотря на снижение поставок российской нефти и нефтепродуктов в Европу, США, Японию и Корею на 2 млн баррелей в сутки с начала года, перенаправление потоков в Индию, Китай, Турцию и другие страны позволило снизить потери в добыче», — цитирует информационное агентство доклад МЭА .

Подписаться

Авторы:

• org/Person»>

  Андрей Степанов

ОПЕК
Россия
США
Китай
Турция
Япония
Корея
Индия

Что еще почитать

Что почитать:Ещё материалы

В регионах

• Полиция задержала 50 девушек в красном на петрозаводской площади Кирова. ФОТО

  Фото

  14028

  Карелия

  Ирина Стафеева

• Самые вкусные оладьи из кабачков по-новому

  13481

  Калуга

  Елена Одинцова

• Как получить звание ветерана труда

  3637

  Великий Новгород

  Белобородько Мария

• «Надо настраиваться»: стилист в Улан-Удэ предсказала возвращение моды нулевых годов

  Фото

  3081

  Улан-Удэ

  Сэсэг Жигжитова

• «Мужчина заплакал и стал целовать мне руки»: врач из Астрахани помогла спасти жизнь пассажиру рейса «Москва – Астрахань», который экстренно сел в Саратове

  Фото

  2979

  Астрахань

  Юрий Асадулин

• Жительницы Улан-Удэ становятся проститутками ради уплаты долгов и помощи близким

  2906

  Улан-Удэ

  Роксана Родионова

В регионах:Ещё материалы

Обзор модельного ряда Volkswagen Transporter T6.

1 2021 года

• Двери и сиденья

  4 двери, 2 сиденья

• Двигатель

  2.0DT, 4 цил.

• Двигатель Power

  81 кВт, 250 нм

• Топливо

  Дизель 6,9 л/100 км

• Производитель

  FWD

• Трансмиссия

  5 РУКОВОД

Сэм Перселл

00:0515 февраль 2021

0

Обновленный модельный ряд фургонов T6.1 Transporter и легковых автомобилей Volkswagen стремится бросить вызов коммерческому сегменту благодаря новым технологиям и системам безопасности на борту диапазон размеров и стилей для удовлетворения большинства потребностей

То, чего нет

• Недостаток всяких удобств во 2-м ряду юта
• Безопасность улучшена, но все же не так хороша, как у некоторых конкурентов
• малая грузоподъемность

Загляните в анналы истории Volkswagen, и вы увидите одну модель, которая не уступает оригинальному Beetle по сроку службы и узнаваемости бренда. Первоначальный Volkswagen Type 2 был буквально второй моделью, разработанной и построенной тогда еще молодым автопроизводителем в послевоенной Германии, когда Volkswagen начал выходить на мировые рынки.

А в 2021 году дальний потомок той модели 1950 года был обновлен до формы T6.1 . Это включает в себя измененный внешний вид, новые и обновленные дизельные силовые агрегаты и множество новых технологий.

У нас была возможность попробовать несколько вариантов новой линейки Volkswagen Transporter 2021 года во время ее недавнего запуска в Австралии, чтобы посмотреть, как они складываются.

По цене от 38 990 до 60 490 долл. США и с различными конфигурациями и силовыми агрегатами, 9Модельный ряд 0070 Transporter имеет широкий спектр грузовых мест, пассажиров и грузоподъемности, чтобы удовлетворить потребности различных пользователей. И теперь, когда полный привод 4Motion доступен для более широкого спектра моделей, он может быть более привлекательным для австралийских покупателей.

Безопасность важна как никогда, и включение некоторых технологий активной безопасности в какой-то степени помогает транспортеру двигаться быстрее. У Volkswagen есть собственный подход к предупреждению о столкновении и автономному экстренному торможению, хотя последнее (они называют его City Emergency Brake) работает только до 30 км/ч.

В зависимости от модели имеется также мониторинг слепых зон, предупреждение о перекрестном движении сзади, торможение при многократном столкновении и помощь при боковом ветре.

Нынешняя модель Transporter еще не прошла краш-тесты ANCAP, последним достижением которой стал четырехзвездочный рейтинг в 2008 году. Новая модель, без сомнения, более безопасна, но мы не можем быть уверены, насколько она хороша. он может выдержать аварию.

Интерьер имеет те же недостатки, что и T6 Transporter, но T6.1 получил приятное обновление внутри, что очень хорошо для этого коммерческого автомобиля. Рулевое колесо, обтянутое кожей и типичное для Volkswagen, приятно ложащееся в руки, добавляет премиальный штрих к утилитарному, но эстетически приятному интерьеру.

Установленный на приборной панели переключатель передач освобождает пространство между водителем и пассажиром спереди, как и отсутствие центральной консоли. Вы теряете где-то, чтобы спрятать свое повседневное снаряжение, но пространство здесь позволяет вам пройти к задней части (в основном) беспрепятственно.

Цена фургона Volkswagen Transporter T6.1 2021 года	Цена SWB/LWB (до дорожных расходов)
TDI250 5-ступенчатая механическая	38 990 долларов
TDI340, шестиступенчатая механическая	41 990 долл. США / 44 990 долл. США
TDI340, семиступенчатая автоматическая коробка передач DSG	44 990 долл. США / 47 990 долл. США
Семиступенчатая коробка передач DSG TDI340 4Motion	47 990 долл. США / 50 990 долл. США
TDI450, семиступенчатая автоматическая коробка передач DSG	50 990 долл. США / 53 990 долл. США
TDI450, семиступенчатая коробка передач DSG 4Motion	53 990 долл. США / 56 990 долл. США

В остальном хранение хорошее, типичное для этого класса автомобилей. Вместо приборной панели с плоским верхом у вас есть удобные углубления спереди, которые подойдут для документов, планшетов и безделушек. Небольшой перчаточный ящик перед пассажиром дополнен парой полок, а отделение для дверных карт огромно.

В передней части Transporter есть одна или две розетки 12 В, в зависимости от ваших спецификаций и опций, но будьте осторожны: подключайтесь к модулю USB-C или добавьте адаптер. Вместо любого из более распространенных USB-A вы получаете два новых порта более продолговатой формы для подключения и зарядки телефона.

Сиденье высокое и удобно регулируется, обзор в целом очень хороший. Сидишь вперед, большое лобовое стекло, хорошие зеркала. Естественно, в фургонах без большого количества боковых стекол есть небольшая слепая зона, но мониторинг слепых зон действительно улучшает ситуацию в этом отношении.

Информационно-развлекательная система представлена ​​на 6,5-дюймовом дисплее «Composition Color», который хорошо работает, особенно с включенным регулятором громкости для удобного управления в движении. И, конечно же, есть зеркалирование смартфонов Apple CarPlay и Android Auto. Однако отсутствует цифровое радио и встроенная навигация, зарезервированные для более крупных и дорогих 9..2-дюймовая система.

Это подтверждается многофункциональным дисплеем перед водителем, по бокам которого расположены аналоговые спидометр и тахометр, которые на протяжении многих лет верно служили на многих автомобилях Volkswagen. Это не совсем передовая технология, но она выполняет свою работу и, что важно, включает в себя цифровое считывание скорости, чтобы свести к минимуму пожертвования правительства штата.

Порожний Транспортер вполне подходит для коммерческого транспорта. Мы не смогли загрузить эти автомобили во время нашей первой поездки, чтобы посмотреть, как работают подвеска и трансмиссия, но мы остались довольны первоначальными впечатлениями.

Вы можете сказать, что демпфирование настроено с учетом дополнительного веса при загрузке Transporter, но оно не кажется слишком хрупким или жестким при преодолении лежачих полицейских и выбоин в городе. Более длинная колесная база дала небольшое улучшение, но это не то, что вы бы назвали плохим.

Говоря о различных спецификациях, я был ошеломлен драйвом и производительностью — на бумаге — наименее впечатляющей трансмиссии. Имея только 81 кВт / 250 Нм и пять передаточных чисел в механической коробке передач, я предположил, что этот вариант может быть чем-то вроде слизняка.

Но я ошибся. Автомобили с механической коробкой передач часто обладают хорошей способностью чувствовать себя бодрее, чем их собратья с автоматической коробкой передач, но трюк Volkswagen с понижением передачи дифференциала для увеличения крутящего момента на колесах прекрасно справляется с этой задачей. Вы никогда не останетесь с чувством, что вам нужно больше мощности в фургоне начального уровня. Ненагруженный, то есть.

Компромисс здесь заключается в том, что часто короткая передача приводит к чрезмерным оборотам на шоссе. Я разгонялся до 2500 об/мин на скорости 110 км/ч, и Transporter чувствовал себя вполне комфортно при такой скорости. В очередной раз все оказалось не так плохо, как я ожидал.

Базовая модель может не подходить для длительных поездок по шоссе, а ее производительность с грузом еще предстоит оценить. Но если вы ищете более дешевый вход в линейку Transporter для перевозки снаряжения по городу, и вы счастливы грести свои собственные механизмы, TDI250 чувствовал себя хорошо в движении за 38,9 долларов.90 (до дорожных расходов) запрашиваемая цена.

Другим вариантом, который мы пробовали, был TDI340 с семиступенчатой ​​автоматической коробкой передач DCT с двойным сцеплением на передние колеса. Это было в формате с длинной колесной базой, а также без груза.

Если вам нужна автоматическая коробка передач, вам нужно начать искать именно здесь. И хотя трансмиссии с двойным сцеплением могут получить плохую репутацию за маневренность на низких скоростях, с этой оказалось легко жить. Важно отметить, что между приводом и задним ходом нет никакого нейтрального движения, и нет необходимости в торможении левой ногой при включении сцепления. Это гладко и достаточно быстро, чтобы не раздражать.

Благодаря большому крутящему моменту, доступному где-то около отметки 2000 об/мин на тахометре, наряду с коробкой передач с интеллектуальным переключением передач, Transporter с крутящим моментом 340 Нм достаточно мощен для применения.

В остальном преимущества трансмиссии с двойным сцеплением обеспечивают лучшую экономию топлива по сравнению с гидротрансформатором. Хотя наши короткие циклы тест-драйва и несколько вариантов вождения не позволили нам получить какие-либо значимые показатели экономии топлива.

Все, что мы можем сказать, это заявленные цифры топлива, которые варьируются от 6,9литров на сто километров для наименее мощного двигателя, вплоть до 8,0 для двигателя 450TDI с двойным турбонаддувом в больших фургонах с более высокими характеристиками.

Еще одним элементом экономии топлива является новая электромеханическая система рулевого управления, заменившая гидравлическую. Это дает ощутимо легкое ощущение руля как на скорости, так и при остановке. Он не попадает в ловушку ощущения расплывчатости и позволяет транспортеру легко перемещаться в небольших помещениях и кружиться по городу. Он хорошо сбалансирован и хорошо подходит для приложения.

Фургоны не всем по вкусу (особенно австралийцам), и для этой цели Volkswagen включил в модельный ряд Transporter варианты шасси с одинарной и двойной кабиной. Это интересно, потому что это может быть серьезной альтернативой вездесущей юте, которую так много австралийцев используют для работы, игр и семейных обязанностей.

С точки зрения работы, полезная нагрузка в 945 кг для варианта с двойной кабиной, безусловно, снижает горчицу, и наши тесты с 500 кг сзади показали хорошие характеристики в городе. И лоток большой, превосходящий размер, доступный для вашего среднего автомобиля с двойной кабиной: 2939 мм в длину и 1940 мм в ширину отлично подходят для одинарной кабины, а для двойной кабины также хороши размеры 2169 мм x 1940 мм.

Однако второй ряд в Transporter с двойной кабиной кажется запоздалым. Кроме сидений и ремней безопасности, сзади для пассажиров больше ничего нет. Нет энергии, нет воздуха. Даже окна не открываются, что может быть настоящей болью.

Варианты шасси с кабиной доступны только с самым мощным двигателем: 145 кВт и 450 Нм с семиступенчатой ​​автоматической коробкой передач с двойным сцеплением и опциональным полным приводом 4Motion. Это помогает с большой полезной нагрузкой, и если вы планируете использовать Тяговое усилие 2500 кг. Однако малая грузоподъемность 100-килограммового шара является ограничением.

Такой крутящий момент, доступный в диапазоне от 1400 до 2400 об/мин, заставляет двигатель чувствовать себя больше, чем два литра, когда он находится в оптимальной точке, и совершенно не требует усилий даже при подъеме в гору. Еще одна интересная вещь, которую следует отметить в этом варианте, заключается в том, что из-за его формы кузова он не имеет селективного каталитического восстановления AdBlue.

Система полного привода 4Motion, работающая с блоком сцепления с электронным управлением на заднем дифференциале, очень быстро реагирует в случае необходимости. Вы заметите, как он цепляется за рыхлые и скользкие поверхности, даже при ускорении на крутых поворотах. Это сделает ваш Transporter хорошим на бездорожье, если у вас не закончится дорожный просвет.

А если вы хотите ехать посильнее, стоит отметить опциональный пакет для бездорожья с блокировкой заднего дифференциала и системой контроля движения на спуске.

Он не поспеет за «правильной» двойной кабиной на бездорожье, но это не является целью игры для Transporter. Если вам не нужна серьезная внедорожная способность, и вы предпочитаете немного большую грузоподъемность в багажнике, тогда стоит обратить внимание на Transporter.

Новый T6. 1 Transporter в целом отполирован и хорошо отсортирован. Но это должно быть в сегменте, который не испытывает недостатка в новых и привлекательных вариантах. В первую очередь мне приходят на ум два фургона — Peugeot Expert и Toyota HiAce, оба фургона были недавно выпущены и обновлены.

Тем не менее, модельный ряд Transporter предлагает широкий выбор силовых агрегатов, вариантов кузова и полного привода. И при условии, что вы готовы обходиться без автоматической коробки передач, фургон Transporter базового уровня оказался намного лучше в управлении, чем можно было бы предположить в спецификации.

ДОПОЛНИТЕЛЬНО: Все Volkswagen Transporter
ДОПОЛНИТЕЛЬНО: Все Volkswagen

44 Изображения

1/44 2/44 3/44 4/44 5/44 6/44 7/49 8/44/44 10/44 11/44 12/44 13/44 14/44 15/44 16/44 17/44 18/44 19/44 20/44 21/44 22/44 23/44 24/44 25/44 26/44 27/44 28/44 29/44 30/44 31/44 32/44 33/44 34/44 35/44 36/44 37/44 38/44 39/44 40/44 41/44 42/ 44 43/44 44/44

Рейтинги Распад

2021 Volkswagen Transporter TDI250 VAN

8.

1/10

Производительность

Обработка и динамика

Driver Technology

.0005

Топливная эффективность

Безопасность

Соотношение цены и качества

Соответствие назначению

Получить цитату

Сэм Перселл пишет об автомобилях, полноприводном вождении и кемпинге с 2013 года и одержим всем, что идет вразнос дольше, чем он может вспомнить. Сэм присоединился к команде CarAdvice/Drive в качестве редактора по бездорожью в 2018 году, после того, как наработался на Unsealed 4X4 и 4X4 Adventures Пэта Каллинана.

Подробнее о Сэме Перселле

«Проект 6» Создание моего окончательного VW Transporter T6

Итого

16

Акции

Будучи постоянным гостем в Корнуолле в течение последних 10 лет, Стив Филд вызывал зависть Transporter

каждый раз, когда он ездил ! Пока не купил себе…

С чего все началось

Корнуолл является домом для наибольшего количества кемперов VW — есть много потрясающих примеров. К каждому применили индивидуальный подход владельца.

Итак, после нескольких лет обоснования того, как я могу включить его в свой образ жизни. Наконец настал день, когда я его заказала.

В июне 2018 года я начал рыскать по интернету в поисках автомобиля-донора. Что-то, что я делал почти каждый раз, когда возвращался из очередного отпуска в Корнуолле с семьей.

Стив медленно собирает VW T6 своей мечты. Наслаждаясь каждым этапом пути.

Большая просьба

Но на этот раз он не собирался исчезать. Я решил продать свой Nissan Navara NP300, чтобы освободить место для LWB VW T6 Kombi с одной раздвижной дверью, цвета серый индий, с задней дверью. Я забыл упомянуть, что это также должна быть 150-сильная модель DSG с 7 скоростями?

Да, и с очень небольшим пробегом для дальних поездок с семьей в будущем. Итак, как вы можете себе представить. Я поставил сложную задачу, и за два месяца поиска не нашлось ни одного совпадения.

Именно тогда я принял решение заказать совершенно новый в точном соответствии со спецификацией, которую я искал.

Перемотка вперед до дня доставки…

1 сентября ^st 2018 год, день, когда мой Транспортер был готов забрать. И день, который также ознаменовал начало того, что я сейчас называю «Проект 6».

День, когда я забрал фургон, был не только одним из самых волнующих дней. Из-за того, что наконец стал владельцем VW Transporter. Но это также был день, когда я начал создавать контент и загружать видео на свой канал YouTube.

Это было еще одно хобби, на которое меня вдохновила моя страсть к созданию кинематографических видеороликов. Итак, 1^-го -го сентября мы с сыном отправились в последнее путешествие на «Наваре». Направляемся в VW Listers Van Center, чтобы забрать новый фургон T6.

С чистым волнением день был совершенно размытым. Все я знаю, что я не переставал улыбаться весь день, и это было такое прекрасное чувство. Наконец-то я мог начать проектировать и модифицировать фургон, чтобы он стал таким, каким он стал сегодня.

Прошла неделя, и начались модификации… 

Буквально в следующие выходные после получения доставки я приступил к первой модификации. Установка занижающих пружин Eibach Pro 50 мм.

Набор запчастей был заказан еще до того, как я забрал машину, и пружины были одной из них.

Считалось, что замена пружин заблаговременно до того, как фургон наберет мусор, облегчит работу. Итак, я настроил свои камеры и застрял в том, чтобы опустить фургон.

Чувство удовлетворения

С любым изменением внешнего вида или производительности мы все получаем чувство удовлетворения, когда работа выполнена. Независимо от того, было ли это сделано в мастерской или выполнено нами.

С этого дня моя страсть к выполнению модов и созданию моих видеороликов попутно переросла на новый уровень.

Задокументировав свои видео таким же образом, как и другие успешные автомобильные ютуберы, а затем добавив свой собственный кинематографический оттенок. Канал набрал обороты и привлек аудиторию других единомышленников-энтузиастов VW.

Поскольку впереди несколько зимних месяцев, я не стал давить на педаль газа и заказал дополнительные детали. Например, боковые подножки, бамперы и спойлеры Sportline. Вместе с подборкой деталей салона для работы в тепле.

Я хотел подготовить фургон до такой степени, чтобы к апрелю 2019 года он обеспечил мне основу для семейного похода.проходить мимо.

Стив был невероятно впечатлен программным обеспечением Revo Stage 1 ECU.

Почему LWB?

Было несколько причин, по которым я оправдал использование LWB-версии. Один из них заключался в том, чтобы брать мою семью (жену и 3 сыновей) в регулярные (а иногда и короткие) походы.

После того, как я установил основы для кемпинга, такие как 12-вольтовый холодильник и откидной телевизор для детей, внешний вид возобновился.

Внешний вид я смоделировал на свой личный вкус. Но я разработал интерьер, который появился позже, чтобы удовлетворить наши потребности в кемпинге и семье.

Было выгодно не торопиться с этим, потому что после нескольких походов наши первоначальные мысли о том, как оформить интерьер, изменились.

Я изначально собирался переоборудовать 5-местный заводской Kombi в 6-местную Caravelle. Но мы пришли к выводу, что было бы здорово иметь доступное грузовое пространство вместо , имеющего для буксировки оборудования сзади.

Предназначен для всех работ

Итак, мне пришла в голову идея разделить фургон на переднюю и заднюю части. Передняя часть будет просторной и удобной для дальних поездок, включая поворотные капитанские сиденья и 15-дюймовый откидной телевизор для задних сидений.

Затем за рядом с поясом я создал L-образный диван со встроенным местом для хранения, в котором также можно разместить холодильник на 12 В. Это также дало место для складного стола, чтобы мы все могли разместиться вокруг стола, если погода испортится.

На противоположной стороне я спроектировал и построил то, что стало известно как «Шкаф мечты». Это был высокий блок от пола до потолка, в котором размещался 24-дюймовый плоский экран, а также встроенная кофемашина на 240 В с вспенивателем молока и светодиодным освещением.

Когда фургону немного исполнился год, я начал понимать, что мое стремление добиться идеального внешнего вида потребует немного больше инвестиций.

Задняя часть T6 полностью приспособлена для семейных походов и комфорта.

Модификации продолжаются

К этому времени я уже купил комплект 20-дюймовых колес Vossen на лето и комплект 20-дюймовых колес Cades со специальной зимней резиной на зиму. А также остекление фар Transporter HQ для 3 ^rd ряд с защитным стеклом по всему периметру и многое другое.

Но мне нужно было пересмотреть подвеску, чтобы фургон мог сидеть на той высоте, которую я хотел (примерно на дюйм ниже). Однако, поскольку часть кузова уже находится близко к земле, это может сделать фургон непрактичным для определенных кемпингов и менее удобным для дальних поездок.

Время для AIR

После этого я решил установить систему Air Ride ABP, чтобы придать мне желаемую посадку и сохранить комфорт и практичность.

К настоящему времени фургон действительно соответствовал всем моим требованиям, я его персонализировал. Он отлично едет, его производительность в отделе кемпинга, не говоря уже о том, что мой канал на YouTube рос со всеми сочными видео, которые я снимал по пути. Поэтому следующим, на что я хотел обратить внимание, было какое-нибудь программное обеспечение для повышения производительности.

Время для БОЛЬШЕЙ МОЩНОСТИ

С дополнительным весом, добавленным к фургону T6, 150 л.с. нужно было немного увеличить, чтобы восстановить некоторые уровни мощности без ущерба для надежности.

Одной из последних модификаций на сегодняшний день является установка программного обеспечения Revo Stage 1 ECU Performance. Мне выпала честь, что это сделал Пол Уоллес (другой владелец Transporter и энтузиаст) в штаб-квартире Revo в Давентри.

Со всем содержимым и следующей информацией, полученной на моем канале YouTube, я смог пойти и снять видео за кулисами установки, в то время как они также выполняли процесс.

Мое видео об этом можно посмотреть здесь.

Куда дальше приведет путешествие Стива в «Проекте 6»? Следите за его каналом на YouTube, чтобы узнать ЗДЕСЬ.

Какая трансформация

Это действительно изменило ходовые качества моего фургона, намного превзойдя мои ожидания. Теперь он не только привлекает внимание очевидными внешними модификациями, но и обеспечивает соответствующую производительность.

И теперь он будет справляться намного лучше, когда он будет полностью загружен семьей и нашим набором для кемпинга на выходные.

Я в восторге от того, как все сложилось с «Проектом 6», и от той надежности, которую он мне дал.

Уже не за горами второй день рождения фургона, так что я очень рад увидеть, что я могу сделать дальше. Следите за этим пространством!

Фото и видео: Alex Bones

Связанная тема

• OnlyRevo
• OnlyThedRiven
• Программное обеспечение для производительности
• Revo
• T6
• Transporter
• Настройка
• VAN
• VW
• VW Transporter

9963669

• VW
• VW Transporter

963669

• VW
• VW Dransporter

996366

• VW
• VW Traning

996366

• В.
  

  VW California Coast (2021) Обзор с видео

  Калифорнийское побережье, набитое множеством функций для активного отдыха, появилось на рынке в начале этого года. Новичок на базе T6.1 прямо нацелен на любителей активного отдыха, и наш местный искатель приключений Геро Лилейке проехал на семейном автофургоне из Кейптауна в самое сердце Садового маршрута, чтобы проверить весь спектр его кемпинговых возможностей в дебрях Цицикамма лес. Подойдет ли вам VW California Coast? Давай выясним!

  Нам нравится: Производительность двигателя, практичность, характеристики, ничего подобного в SA  

  Нам не нравится: Нет задней двери с электроприводом, требуется больше переднего скрытого от глаз места для хранения вещей, долговечность внутренней части вызывает беспокойство.

  Краткие факты

  • Протестированная модель: Volkswagen California Coast
  • Цена: R1 232 600 (по состоянию на июль 2021 г. )
  • Двигатель: 2,0-литровый битурбодизельный двигатель
  • Мощность/крутящий момент: 146 кВт/450 нм
  • Трансмиссия: 7-ступенчатая DSG
  • Экономия топлива : 8,0 л/100 км
  • Топливный бак: 80-Litrees

  . Калифорнийское побережье?

  Калифорнийское побережье — мечта любого любителя активного отдыха.

  Мы активно тестировали Caravelle T6.1 с момента его появления на рынке в октябре 2020 года, но нам особенно не терпелось попробовать мечту любителей активного отдыха — семейный кемпер California Coast!

  Volkswagen AG ежегодно продает около 18 000 автомобилей California, что делает его лучшим выбором на рынке кемперов. На самом деле, во многих смыслах это дом на колесах, и довольно причудливый.

  Стремясь эффективно протестировать все функции, которые может предложить VW California Coast, мы отправились в поход из Кейптауна в долину природы в самом сердце Садового маршрута.

  Какие особенности кемпинга есть у Volkswagen California Coast?

  В апартаментах The California Coast имеется полностью оборудованная кухня с раковиной, газовой плитой и холодильником.

  Может быть, лучше спросить, чего в нем нет? Volkswagen California Coast обладает ошеломляющим количеством функций, которые оценят любители активного отдыха.

  Пожалуй, самая крутая особенность — палатка на крыше. Доступ к ней осуществляется через жалюзи над передними сиденьями, а сама палатка легко поднимается вверх, как только вы отстегнете пряжки и защелки безопасности. Поднявшись, палатка на крыше предлагает спальное место для 2 человек и оснащена тонким матрасом и пружинами, обеспечивающими относительный комфорт. По общему признанию, это не так удобно, как обычная кровать, но это лучше, чем спать на твердом полу! Для вашего удобства в верхнем отсеке также есть розетка на 12 В и подсветка. На самом деле, по всему салону есть множество розеток на 12 В и регулируемое освещение.

  Все окна, включая передние, оборудованы выдвижными жалюзи, которые не только уменьшают количество света, попадающего в салон, но и обеспечивают некоторую конфиденциальность.

  Перемещаясь в заднюю часть салона, VW California Coast предлагает скамейку для 2 человек (с 2 полками для хранения под ней), которую можно сложить, чтобы создать еще одну кровать в сочетании с задней палубой. Заднюю палубу также можно наклонить вверх, чтобы создать эффект безделья, что отлично, если вы просто хотите расслабиться и почитать книгу.

  Скамья второго ряда складывается, образуя «двуспальную кровать», а задняя полка также может служить откидной спинкой.

  VW California Coast также оборудован собственной кухней, которая включает в себя шкафы (с отделкой под дерево Bright Oak) с большим пространством для хранения, а также небольшой умывальник (связанный с резервуаром для серой воды), газовую плиту и кухонную плиту. 42-литровый холодильник для охлаждения напитков и других продуктов. Более того, в комплект поставки входит складной столик, который можно аккуратно поставить рядом с полкой для хранения. Стоит отметить хорошее качество сборки шкафов и кухонной фурнитуры.

  Дополнительные шкафы для хранения расположены в задней части кабины, там же вы найдете душ и точку подключения газового баллона, от которого разжигается газовая плита. Кроме того, семейный кемпер выигрывает от наличия отдельного резервуара для воды, который питает как душ, так и вышеупомянутый умывальник. Вода не нагревается, так что зимой вы будете принимать душ в стиле Вим Хофа.

  Новый многоцветный цифровой дисплей, установленный на потолке (в передней части кабины), служит панелью управления многими ключевыми функциями автомобиля. Он позволяет вам проверять уровень воды и заряда батареи, устанавливать будильники, регулировать освещение (включая пробуждающее освещение) и даже сообщит вам наклон поверхности, на которой припаркован автомобиль (выровняйте автомобиль, чтобы убедиться, что у вас нет спать под нестандартным углом).

  Другие полезные приспособления для кемпинга на VW California Coast включают 2 стула для кемпинга (хранятся внутри задней двери), навес, прикрепленный к боковой части автомобиля, и раскладной стол, который удобно хранить внутри одного из них. -сенсорная сдвижная дверь. Итак, да, в нем нет туалета, но этот семейный кемпер готов, настроен и с энтузиазмом отправляется в приключение по вашему выбору.

  Какая передняя часть салона?

  Активный информационный дисплей Volkswagen и информационно-развлекательная система Discover Pro Navigation входят в стандартную комплектацию.

  Из-за руля видно, что передняя панель Volkswagen California Coast включает в себя обновления, представленные в моделях Kombi и Caravelle поколения T6.1; это, как правило, престижный и эстетически приятный дизайн. Стандартные функции включают настраиваемый активный информационный дисплей бренда и информационно-развлекательную систему Discover Pro Navigation, которая включает в себя встроенную навигацию, Bluetooth, Android Auto и функции Apple CarPlay. Под рукой также есть 2 порта для зарядки Type-C, а также дополнительный слот для беспроводной зарядки смартфона.

  Все сиденья в семейном автодоме бренда из Вольфсбурга обиты тканью, а весь пол отделан прочным пластиком, который должен выдерживать суровые условия кемпинга на открытом воздухе. Передние сиденья также оснащены подлокотниками, которые добавляют дополнительный комфорт в дальних поездках, а колонка многофункционального рулевого колеса новой конструкции может регулироваться по наклону и вылету.

  Также стоит отметить, что передние сиденья можно повернуть лицом к задней части салона, что создает более комфортную посадку после того, как вы устроитесь в пункте назначения.

  Что касается стандартного оборудования для обеспечения безопасности, Volkswagen оснащен такими функциями, как помощь при боковом ветре, помощь прицепу, помощь сбоку, предупреждение о движении сзади, функция маневрового торможения, помощь в движении по полосе, помощь при трогании с места, помощь при спуске с горы, помощь при парковке и система контроля давления в шинах. . Есть 6 подушек безопасности, а также камера заднего вида со статическими ориентирами. ABS с EBD и системой помощи при экстренном торможении также входят в стандартную комплектацию.

  Каково водить VW California Coast?

  Обладая мощностью 146 кВт и 450 Нм, Калифорнийское побережье не испытывает недостатка в ворчании и обеспечивает хорошую общую производительность.

  Мы испытали этот 2,0-литровый дизельный двигатель с двойным турбонаддувом в топовой модели Caravelle некоторое время назад, и в сочетании с 7-ступенчатой ​​коробкой передач DSG с двойным сцеплением он остается впечатляющей силовой установкой.

  Обладая мощностью 146 кВт и крутящим моментом 450 Нм, Volkswagen California Coast предлагает достаточную тягу даже при большой загрузке автомобиля; он может быстро и легко выполнять обгонные маневры на скоростях шоссе. Двигатель также доработан и тих в работе. Это определенно не неуклюжий дизельный двигатель старой школы! Что касается топливной экономичности, Volkswagen заявляет о 8,0 л/100 км, а в среднем за период тестирования мы получили примерно 10 л/100 км. Кроме того, благодаря большому (80 литров) топливному баку семейного автофургона вы можете проехать примерно 800 км, прежде чем вам потребуется остановиться для дозаправки, и это здорово!

  Достаточно сказать, что у Volkswagen высокий и длинный кузов, что означает, что он склонен к крену кузова при прохождении поворотов, но, по крайней мере, мы обнаружили, что общее качество езды было комфортным, даже несмотря на то, что подвеска относительно жесткая. Полноприводная конфигурация 4Motion обеспечивает большую уверенность при вождении во влажных условиях, а также лучшее сцепление с дорогой при движении по негерметичным поверхностям. Volkswagen California Coast также имеет блокировку заднего дифференциала, которую можно включить нажатием кнопки; это поможет вам освободить себя (гм, транспортное средство), если вы столкнетесь с «неприятной ситуацией».

  Какие у нас претензии к Volkswagen California Coast?

  Задняя дверь с электроприводом значительно облегчит жизнь. Задняя дверь тяжелая и неудобно закрывается.

  Хотя мы очень впечатлены общей универсальностью и гибкостью Volkswagen California Coast, у нас есть несколько критических замечаний… Во-первых, тот факт, что задняя дверь не имеет электрического привода, является очевидным упущением. Задняя дверь тяжелая, и чтобы закрыть ее, требуется приличное усилие, и мы подозреваем, что владельцы будут часто недовольны этим.

  Передняя кабина может быть улучшена за счет дополнительных мест для хранения вещей за пределами площадки, потому что перчаточный ящик на удивление мал. Мы также обнаружили, что функция голосового управления информационно-развлекательной системы ужасно медленно интерпретирует и выполняет простые команды.

  Несмотря на то, что салон семейного фургона легко выдержал суровые условия этого приключения, мы не можем не задаться вопросом, как интерьер, особенно тканевые сиденья и обивка потолка, выдержит годы интенсивной эксплуатации. Заядлый любитель активного отдыха поднял вопрос о приготовлении пищи внутри автомобиля и о воздействии пара, влаги и даже масла на обшивку потолка и обивку. Есть о чем подумать…  

  Сколько стоит Volkswagen California Coast в Южной Африке?

  Volkswagen California Coast стоит от 1 232 600 рандов и включает в себя гарантию на 3 года/120 000 км и план технического обслуживания на 5 лет/60 000 км.

  Купить новый или подержанный Volkswagen Caravelle на Cars.co.za

  Вердикт

  У Volkswagen есть победитель! Да, дороговато, но на рынке нет ничего подобного…

  Во многих отношениях Volkswagen California Coast идеально подходит для своей цели. Он оснащен всеми полезными функциями, которые вы хотели бы или нуждаетесь в семейном кемпере, а также обеспечивает необходимые возможности подключения и комфорта, чтобы обеспечить приятное путешествие к месту назначения.

  Ощутимое качество сборки тоже хорошее; мы думаем, что модель очень хорошо послужит своему предполагаемому рынку, ориентированному на открытый воздух. Фактически, у него нет прямого конкурента на рынке Южной Африки. Основным конкурентом Volkswagen California Coast является Mercedes-Benz V-Class Marco Polo, но на местном рынке он не предлагается.

  Если вас не убедил новичок, вы, конечно, можете купить новый или подержанный Volkswagen Transporter и пролить кровь, пот и слезы, чтобы превратить его в свой собственный кемпер, но этот процесс будет очень дорогим и, честно говоря, напряженным. .

  Таким образом, если вы ищете многофункциональный семейный кемпер, этот Volkswagen California Coast — это то, что вам нужно. К нему определенно стоит присмотреться, если, конечно, вы можете себе это позволить.

  Связанный контент: 

  VW T7 Multivan 2022 года официально представлен

  Volkswagen Caravelle 2.0BiTDI Highline 4Motion (2019) Обзор

  Volkswagen Kombi (2021) Обзор запуска

  VW заявляет, что по-прежнему не будет продавать автокемперы в Америке, несмотря на повальное увлечение RV. Вот почему

  Несколько лет назад компания Volkswagen выставила перед нами напоказ свой новый фургон-кемпер California, словно расстелив ковер для возвращения своих кемперов на рынок Соединенных Штатов. Но Калифорния так и не пришла, что сначала разочаровало несгибаемых Veedubbers, а затем и гораздо более широкую аудиторию, поскольку американцы обратились к автофургонам и автофургонам как способу передвижения, защищенному от пандемии. Казалось, что VW почувствовал, что Америка снова готова принять свои фургоны, только чтобы еще раз пренебречь нами.

  Так в чем дело? Почему бы VW не доверить свои яйца корзине автодома, предложив California в Штатах, или не возглавить переход на электромобили с поп-топом ID.Buzz? И теперь, когда все в Америке, похоже, сошли с ума от COVID, упустила ли нерешительность VW возможность? К большому огорчению VW, мы решили это выяснить.

  2021 Volkswagen California T6.1 (модель для Великобритании), Volkswagen UK

  Что мы упускаем

  Прежде чем мы двинемся дальше, давайте проясним, в чем именно VW нам отказывает. Текущий VW California основан на фургоне T6.1 Transporter, который является прямым потомком культового Type 2, который напоминает слова «автобус хиппи». На ближайшем англоязычном рынке, где он продается, — в Соединенном Королевстве — его базовой моделью является California Beach Camper, чей 2,0-литровый турбодизель буксирует кузов с поднимающейся вручную крышей и выдвижным тентом. По стандартам США он подпадает под самую маленькую категорию автодомов, класс B, в отличие от автомобилей класса C, часто построенных на шасси в разрезе, или специально построенных, а иногда и амфибий, класса A.

  Однако маленький размер не делает его дешевым, так как стоимость кемперов California Beach Camps начинается от 76 350 долларов. Это лота денег за то, сколько транспортного средства вы получаете, хотя на самом деле это нижняя граница того, что вы можете ожидать заплатить за кемпер класса B. Согласно The Wayward Home , минимальная стоимость автомобилей класса B здесь, в США, составляет 74 000 долларов США с Pleasure-Way Tofino, кемпером на базе Ram ProMaster, который можно сравнить с его выдвижной крышей.

  2021 Volkswagen California T6. 1 Coast (модель для Великобритании), Volkswagen UK

  VW меньше, чем Pleasure-Way Tofino, но это преимущество, если место для парковки строго ограничено, а VW ненамного дороже. Фургон VW также является значительно более романтизированным транспортным средством, чем Fiat с новым брендом, который творит чудеса с точки зрения лояльности клиентов и, следовательно, стоимости при перепродаже. Таким образом, хотя представитель VW Джессика Арнтсон говорит нам, что калифорнийские автомобили «были бы довольно дорогими, и в результате рынок был бы ограничен», все еще существует четкая ценностная позиция, которую VW мог бы сыграть, если бы захотел.

  Почему же тогда VW сбросил карты на явно неплохой руке?

  Кемпер Volkswagen Vanagon (T3) 1990 года выпуска, Вилли Вудворд через VW

  Это называется бизнес-кейсом

  Ну, для начала, для покупки потребуется федеральная омологация, разработка которой была проведена в 2017 году в Центре автомобильных исследований. легко обойдется европейскому автопроизводителю более чем в 10 миллионов долларов за модель. Гипотетически VW мог бы распределить эти расходы более равномерно, омологировав больше моделей T6 и конкурируя в большем количестве сегментов рынка, чтобы окупить свои инвестиции. Transporter, например, мог бы побороться за кусок пирога коммерческого фургона, который, по мнению База продаж автомобилей составила более 496 000 продаж в 2019 году. Но VW, у которого больше данных для работы, чем у нас, очевидно, не считает, что рынок фургонов в США стоит оспаривать, поэтому он и не пытается.

  И если привезти Transporter в США не стоит заморачиваться, то California даже близко не стоит, так как на его долю приходится лишь незначительное меньшинство продаж вариантов T6. В 2017 году, самом последнем году, когда VW Commercial Vehicles раскрыл глобальное производство California, на долю кемперов приходилось чуть более 15 000 автомобилей, что составляет примерно шестую часть от фургона Transporter. VW не делится своей прибылью в расчете на один автомобиль, но новые автомобили, как известно, не такой прибыльный бизнес, как может показаться из-за их высоких цен; Калифорния, скорее всего, столкнется с долгим и медленным движением к безубыточности.

  Кемпер Volkswagen Vanagon (T3) 1990 года, Вилли Вудворд через VW

  Несмотря на это, видя, насколько выросли продажи домов на колесах и кемперов в 2020 году и как их импульс перенесся в 2021 год, неспециалистам все еще кажется, что VW растратил целую золотая возможность.

  Однако те, кто внимательно следит за рынком жилых автофургонов, задаются вопросом, сохранится ли спрос, повышенный из-за COVID-19, например, Ленни Симс, вице-президент JD Power по развитию бизнеса и стратегии и эксперт по автофургонам. Симс наблюдал, как рынок жилых автофургонов вступает в 2020 год с резким спадом до 9 сентября.0443 сами-знаете-что произошло , подтолкнув сегмент к беспрецедентному 20-процентному росту по сравнению с 2019 годом. ломая цифры, по сути, из-за пандемии», — сказал нам Симс. «В начале 2020 года рынок падал по сравнению с прошлым годом до 19 года, поэтому 2020 год начался как год спада для RV, и как побочный продукт COVID широкая публика начала склоняться к RV как к способу. чтобы избежать карантина, с которым все столкнулись».

  Он продолжил: «Это был большой драйвер. Это иссушило рынок подержанных автомобилей, что увеличило эти значения. Это иссушило новый конвейер и запасы, которые там были; пришли, и некоторые из них вновь открылись и снова производят новые продукты, но не в том объеме и не в том стиле, в каком они были раньше».

  Кемпер Volkswagen Type 2, Volkswagen

  Многие производители домов на колесах и кемперов продают все, что они могут построить, сказал Симс, но все они не решаются нажиться на помешательстве, инвестируя в производственные мощности. Спрос не гарантированно останется высоким, и все, от долговечности COVID до возвращения других форм путешествий и экономики, может повлиять на рынок RV.

  «Самый большой вопрос на пути вперед — начать расширяться до нескольких других влияний», — продолжил Симс. «Конечно, они могут удовлетворить спрос, но тогда спрос должен оставаться, и, по сути, это вопрос: «Люди продолжают ездить на колесах?» Потому что речь идет о COVID. Уходит ли COVID? Будет ли другая версия? Все те драйверы, которые в первую очередь способствовали этому рынку, они уйдут?

  Потребители на автофургонах едут на этот рынок, так что, несмотря на то, что в прошлом году у них были рекордные продажи… сколько останется ездить на автофургонах после того, как, так сказать, станет ясно, и они смогут вернуться к работе? чем они раньше занимались для отдыха?»

  И еще третье соображение. «В то же время еще один фактор, который может сыграть роль, — это то, на что похожа экономика?» — риторически спросил Симс. «Если экономика пойдет на спад, а доверие потребителей упадет, эти RV станут первыми вещами, которые люди будут продавать. И тогда у вас снова будет поток RV на рынке».

  На данный момент запасы остаются низкими, а спрос остается высоким. Это, по словам Симса, мы знаем наверняка. Он заметил, что вещи начинают выходить на плато: «[Это] не растет с той скоростью, которая была, [и] не снижается».

  Но то, что поднимается, должно опускаться. «Я думаю, что спад произойдет на каком-то уровне», — сказал Симс. «Я имею в виду, что сейчас это вопрос на миллион долларов. Он упадет, в этом нет сомнений. Но сейчас он очень, очень силен».

  California Dreamin’

  Короче говоря, кажется, что доставка California в Штаты является дорогостоящим предложением для VW, которое почти наверняка , а не , чтобы предложить возврат инвестиций. Другими словами, несмотря на то, как мы видим это на нашей стороне забора, на самом деле не было возможности промахнуться. Что касается того, почему VW, казалось, ухаживал за Америкой, позволяя автомобильной прессе вести его через Золотой штат, то это было просто потому, что корпорация VW хотела запустить California в штате, в честь которого она была названа.

  «Германия хотела запустить автомобиль в Калифорнии из-за таблички с названием «Калифорния», поэтому у них была здесь их медиа-программа», — сказал нам Марк Гиллис, глава отдела коммуникаций VW of America. «Мы спросили, можем ли мы подержать автомобили некоторое время после того, как они будут готовы, и посадили в них нескольких журналистов для развлечения. Это действительно так — мы сильно подчеркнули, что не было (и нет) никаких планов по доставке автомобиля в США. »

  В то время как Калифорния 6.1 бесспорно , а не , прибывает в Америку, перспективы не должны быть столь же серыми, как зимний день. VW подтвердил, что его электрический фургон ID Buzz появится в США, поэтому, когда самое большое препятствие преодолено, возможно, еще есть надежда на электрические фургоны с выдвижным верхом.

  Volkswagen Type 2 1967 года, принадлежащий художнику по стеклу Дейлу Чихули, Volkswagen

  Есть совет или вопрос к автору? Вы можете связаться с ними здесь: [email protected]

  Volkswagen T6 Transporter California First Drive Review 2018

  «Volkswagen T6 California Transporter — это воплощение мечты о кемперах».

  Плюсы

  • Невероятно хорошо сложенный и продуманный дизайн
  • Загружено всем, включая кухонную раковину
  • Легко и даже весело управлять
  • Один из самых знаковых способов провести время на свежем воздухе

  Минусы

  • Не продается в США

  Фургон еще не умер. Вы бы не смогли сказать в Соединенных Штатах, где рынок продолжает наводняться кроссоверами и грузовиками благодаря дешевому бензину. Однако для европейцев фургон является такой же частью их культуры, как потребляющие бензин внедорожники и грузовики для нашей. И после того, как я провел выходные в походе в последней и лучшей версии легендарного фургона Volkswagen T6 Transporter, я никогда в жизни так сильно не хотел фургон.

  Традиция создания фургонов Volkswagen восходит почти 70 лет к оригинальному «Type 2», первой модели Volkswagen Transporter, также известной как «Kombi», «Microbus» или просто «автобус». Когда он был представлен в 1950 году, американские автомобилисты оценивали автомобили больше по весу их хрома, чем по их полезности, поэтому только в 1960-х годах Type 2 действительно завоевал популярность в американской культуре. Он стал символом крупнейшего современного контркультурного явления в истории: движения хиппи.

  «Я никогда в жизни так сильно не хотел фургон».

  В 1988 году компания представила особую модель «Калифорния», объединив самые любимые удобства в пакете, предназначенном для любителей кемперов. Чтобы отпраздновать свою 30-ю годовщину ^-й -й годовщины, VW пригласил группу журналистов, чтобы прожить (заглянуть?) жизнь фургона Volkswagen в некоторые из самых знаковых районов Южной Калифорнии.

  К сожалению, получить его нельзя. Но, если вам нужно спросить, ваш самый простой Transporter «California» начинается примерно с 51 000 долларов США по текущему обменному курсу между евро. Однако все примеры, использованные для тестирования, стоят 80 000 долларов США, полностью загруженные текущими преобразованиями.

  Интерьер и техника

  Volkswagen продолжал продавать Transporter до модели четвертого поколения (T4) середины 1990-х годов, которую мы получили как Eurovan. К сожалению, VW прекратил продажи в США после того, как его заменил T5, уступив значительную долю рынка столь же культовому, более доступному, более мощному и лучше управляемому Dodge Caravan в 1980-х годах.

  «California — это прямой автофургон со всем, что вы можете себе представить, , включая кухонная раковина.

  С тех пор их пути разошлись как прямые конкуренты: минивэны Chrysler превратились в семейные автомобили, в то время как California продолжает выполнять обязанности по дому в качестве специального автодома со всем, что вы можете себе представить, включая кухонную раковину. Есть холодильник и морозильник, встроенная система водоснабжения и микроотходов для упомянутой кухонной раковины, газовая плита и достаточно места для хранения, чтобы буквально жить за счет этой вещи.

  Знаменитый «откидной верх», в котором могут спать двое взрослых, живет в более современной форме: теперь он приводится в действие и управляется поворотной ручкой, установленной там, где обычно находятся элементы управления люком. Близлежащий ЖК-дисплей управляет бортовым обогревателем (работающим от основного бака) и отображает состояние массивной бортовой батареи, системы водоснабжения и канализации.

  Интерьер настолько хорошо продуман, что у меня кружится голова, как современный пример известного немецкого внимания к деталям. Ни сантиметра пространства не потрачено впустую. Оба передних сиденья поворачиваются лицом к салону, так что любой может сесть за встроенный мини-стол, который выдвигается из-за основного заднего сиденья. Упомянутая скамейка складывается, чтобы спать еще два человека, технически освобождая место для четырех взрослых внутри этой вещи, хотя она может стать немного теплой и уютной.

  После двух ночей, проведенных во сне под звездами в T6 California, это было достаточно комфортно, чтобы дать мне один из самых запоминающихся спокойных снов, которые я мог вспомнить.

  Стаж вождения

  Так почему же его называют «Калифорния», а не «супер-пупер-крутой автофургон»? Что ж, как бы европейцы ни любили критиковать нас, янки, им абсолютно нравится идея проехать по шоссе Тихоокеанского побережья в Калифорнии из-за идеальной погоды для кемпинга на побережье. Этот фургон специально отдает дань этому стереотипному опыту. Из Лос-Анджелеса мы отправились к нашей первой остановке, специальному кемпингу, который находится вне поля зрения радаров, на прибрежной горе в Санта-Барбаре.

  А теперь представьте, что вы едете на Volkswagen Jetta – только выше… намного выше и чуть уже. Это в значительной степени резюмирует то, что Калифорния чувствует за рулем, в том смысле, что это лучший кемпер, который я когда-либо водил. Время от времени он будет напоминать вам, что это транспортное средство с высоким центром тяжести. Но движения его кузова невероятно хорошо управляются для такой высокой машины, чего и следовало ожидать от современного немецкого автомобиля. Кроме того, им невероятно легко и даже весело управлять благодаря быстрому рулевому управлению, адаптивной подвеске с тремя режимами и автомобильной силовой установке и трансмиссии.

  Он поставляется с бензиновыми и дизельными четырехцилиндровыми двигателями с турбонаддувом, но у нас был один из более мощных газовых вариантов. Поскольку это знакомый двигатель в стране VW, он выдает те же 200 или около того лошадиных сил в сочетании с семиступенчатой ​​​​автоматической коробкой передач DSG с двойным сцеплением и полным приводом 4MOTION. Застегнуть PCH до первого кемпинга и пройти по последующим извилистым дорогам национального леса Лос-Падрес оказалось просто сенсационно. Для кемпера unibody, то есть с полностью независимой подвеской.

  С отличным внешним обзором — если вы не забудете убрать все встроенные оконные шторы — и обычным набором технологий пассивной и активной безопасности, таких как предупреждение о слепых зонах, обнаружение перед столкновением с автоматическим торможением, задний -облицовочная камера и круиз-контроль с радиолокационным наведением. Помните, он идет со всем и буквально с кухонной раковиной. Это в значительной степени делает его самым близким к тому, чтобы быть Audi среди автофургонов.

  Почему мы не можем получить эти вещи?!

  900:04 Поскольку наша трехдневная экскурсия завершилась последней ночью в кемпинге в Национальном заповеднике дикой природы Биттер-Крик, к юго-востоку от равнины Кариццо, меня переполняла грусть. Несмотря на то, что Volkswagen получил специальное разрешение на импорт этих T6 Transporter California в штаты для прессы, на самом деле грустно узнавать о том, чего нам действительно не хватает, поскольку T6 является для нас запретным плодом.

  «Грустно узнавать, чего мы на самом деле упускаем из-за того, что T6 является для нас запретным плодом».

  Перед тем, как прибыть в Калифорнию для поездки, я, как и многие из любопытных зевак, которых я встречал всякий раз, когда припарковывал Калифорнию, задавался вопросом, почему Фольксваген прекратил продавать Транспортер.

  Проще говоря, Transporter стал слишком дорогим для вкусов американских покупателей. Кто купит Volkswagen за 50 000 долларов, не говоря уже о шестизначной сумме? Дорогие автомобили Vee-Dub, такие как Phaeton и даже уникальный восьмицилиндровый бензиновый «W8» Passat начала 2000-х годов, никогда не были очень успешными продавцами. Volkswagen сказал нам, что если компания предложит T6 California для продажи здесь, в Соединенных Штатах, те, которые были протестированы в этой поездке, должны были бы стоить около 110 000 долларов, чтобы их было экономически целесообразно импортировать.

  Но в отличие от Phaeton или W8 Passat, Transporter общепризнан и, если судить по нашим встречам на парковке, пользуется большим спросом. Вам не нужно разбираться в автомобилях, чтобы знать, что кемпер Volkswagen — это архетип. Жить на нем так же культово, как путешествовать по Лос-Анджелесу на Мустанге с откидным верхом. Это воплощение беззаботного опыта, который никогда не выйдет из моды. Это то, из чего сделаны мечты о кемперах.

  Если вам посчастливилось оказаться на рынке, где они доступны для вас, и вам нужен кемпер, о котором мечтают многие любители активного отдыха, то с T6 California лучше не станет.

  Рекомендации редакции

  • 2024 Chevrolet Equinox EV нацелен на доступность по базовой цене 30 000 долларов.

  • Jeep выпустит свои первые два электрических внедорожника в США в 2024 году.

  • Фольксваген ID 2022 года. Обзор первого привода Buzz: культовый хиппи-тягач стал электрическим

  • Обзор первого привода Mercedes-Benz EQB 2022 года: электромобиль лучше, чем его газовый брат

  • Ford отзывает 100 000 гибридных автомобилей из-за риска возгорания

  Обзор Ford Everest 2023 года — выпуск в Австралии (видео) (в основном) совершенно новый Ford Everest 2023 года. Он входит в область тяжелых внедорожников как более изысканное и интеллектуальное предложение, чем когда-либо прежде, что должно заставить многих конкурентов трястись в ботинках.

  Линейка включает четыре варианта: Ambiente, Trend, Sport и флагманский Platinum. Оба начальных класса доступны в форме 4 × 2 — то есть без полного привода — в то время как остальные оснащены системой частичного заднего / полного привода с управлением на ходу. У нас была возможность протестировать большинство вариантов во время официального мероприятия по запуску СМИ в Квинсленде недавно, однако наши тесты 0-100 км/ч и видео ниже основаны на Sport V6.

  Новая модель использует ту же платформу T6, разработанную в Австралии, что и раньше, хотя и в сильно переработанном виде, и впервые к линейке присоединяется 3,0-литровый турбодизель V6. Хотя он доступен только в двух верхних комплектациях. Цены начинаются от 52 990 долларов за базовую версию Ambiente 4×2 и достигают 77 690 долларов за Platinum V6 4×4 (без учета дорожных расходов).

  2023 Ford Everest Sport – ХАРАКТЕРИСТИКИ

  Двигатель: 3,0-литровый турбодизель V6
  Мощность: 184 кВт при 3250 об/мин / 600 Нм при 1750-2250 об/мин : 8.40
  Вес тары: 2335KG
  Официальная экономия топлива: 8,5 л/100 км
  Стартовая цена: $ 69,090

  2023. .

  Он выглядит сильным и мускулистым, но при этом утонченным и современным. Внимание к деталям было повышено по сравнению с предыдущей моделью, с более сложным освещением и отделкой, а также дополнительным различием между каждым уровнем отделки салона. Например, Platinum представляет уникальные значки, включая специальную закрытую витрину между задними фонарями, а вариант Sport добавляет ряд модных черных акцентов для спортивного вида.

  Большинство моделей, участвующих в мероприятии, были оснащены дополнительными шинами повышенной проходимости Goodyear Wrangler размером 255/65, установленными на 18-дюймовые легкосплавные диски. Помимо флагманской модели Platinum, которая ездит на впечатляющих новых 21-дюймовых легкосплавных дисках, обутых в довольно низкопрофильные шины 275/45. Это, очевидно, не лучший вариант для тех, кто хочет отправиться в глубь дикой природы, но для всех остальных, планирующих использовать Everest преимущественно на дороге, большие колеса добавляют новый уровень к прочной модельной линейке.

  Интерьер также представляет собой большой шаг вперед с точки зрения практичности и технологий. На приборной панели находится огромный вертикальный сенсорный экран размером 10 или 12 дюймов, в зависимости от класса, и он специально разработан так, чтобы вписаться в тему приборной панели, а не застрять на ней. Большая часть интерьера довольно вертикальна и выглядит как цельная структура, но эта тема также открывает пространство или, по крайней мере, восприятие.

  Центральная консоль очень эргономична и предлагает много места для хранения. Все варианты стандартно поставляются с мягким зарядным устройством для беспроводного телефона. Все модели также поставляются с беспроводной связью Android Auto и Apple CarPlay, что является настоящим бонусом на современном рынке, поскольку некоторые марки премиум-класса даже не предлагают беспроводную связь или взимают дополнительную плату за эту привилегию.

  Внизу на консоли вы также можете заметить новый электронный переключатель. Это что? Ты спрашиваешь. По сути, это выглядит как правильный механический переключатель передач, но на самом деле это умный, полностью электрический переключатель. Допустим, вы открываете дверь и собираетесь выйти, но случайно оставляете ее на Диске. Переключатель может автоматически вернуться в положение парковки, как по волшебству. Переключатель также выглядит стильно и помогает освободить место. Он входит в стандартную комплектацию всех моделей 4×4.

  Комфорт и пространство для пассажиров в изобилии, в том числе во втором ряду, который скользит по рельсам и предлагает регулировку наклона. Пространство в третьем ряду увеличилось благодаря более квадратной линии крыши, которая простирается дальше назад, чем раньше, и Ford говорит, что применил различные изменения в этой области, чтобы сделать ее более удобной не только для детей, но и для взрослых. Задний климат-контроль доступен со второго ряда, с вентиляционными отверстиями в потолке для всех трех рядов. Также есть порты для зарядки и даже задние сиденья с подогревом.

  Объем багажника увеличен по сравнению с предыдущей моделью примерно на 10–20 литров в зависимости от конфигурации сидений. Модель Platinum оснащена полностью электрическими сиденьями третьего ряда, которые, безусловно, облегчают жизнь, если вы жонглируете покупками и детьми. Некоторые места для хранения под полом предусмотрены и полностью герметичны, поэтому они идеально подходят для мокрого или грязного снаряжения.

  Откидной разделитель также поставляется с небольшими опорными стойками, поэтому вы можете ограничить перекатывание мелких предметов сзади. Полноразмерное запасное колесо находится под спиной снаружи, с 17-дюймовым стальным ободом для Ambiente и полноразмерными легкосплавными дисками для всех остальных.

  2023 Ford Everest – ПРИВОД

  Внизу вы найдете заднюю часть ведущего моста, как и прежде, с винтовыми пружинами сзади по сравнению с более прочными листовыми рессорами на Ranger. Спереди независимая установка с винтовыми пружинами. Комфорт при езде неплох, особенно против Ranger; это разработано, чтобы быть гораздо более удобным для семьи, так что это само собой разумеющееся. Мы замечаем некоторый рев шин с дополнительными шинами A / T, но это вполне терпимо. Мы полагаем, что наш лучший совет — убедиться, что вы действительно используете коренастые шины, если вы в первую очередь идете на их выбор. В противном случае стандартные элементы будут работать нормально даже в достаточно серьезных сценариях бездорожья, и вы испытаете тихий круиз по дороге.

  По сравнению с предыдущей моделью устойчивость на дороге значительно улучшена. Передняя часть остается плоской и прочной во время прохождения поворотов, а кузов кажется менее наклонным, чем раньше. Рулевое управление по-прежнему довольно мягкое, хотя и достаточно отзывчивое для этого стиля автомобиля; другими словами, вам не нужно набирать мили и мили блокировки только для того, чтобы сменить полосу движения. Вы можете сильно давить в поворотах, и шины не сразу протестующе стонут, но очевидно, что это прежде всего тяжелый внедорожник, поэтому некоторые автомобили с мягким покрытием больше подходят, если вы планируете поездки только по асфальту.

  Стабильность задней части немного менее повышена из-за расположения ведущего моста. Но он удерживается вместе с помощью сложной системы звеньев Ватта, изобретенной в 1784 году, которая по сути представляет собой двойной стержень Панара, который ограничивает боковое движение при сжатии подвески. Усиленная установка ведущего моста обеспечивает впечатляющие возможности буксировки и грузоподъемности. Новый Everest теперь рассчитан на максимальную нагрузку 3500 кг для прицепов с тормозами, что отпугнуло многих его конкурентов. В зависимости от варианта грузоподъемность варьируется от 741 кг для базовой (самой легкой) Ambiente и до 658 кг для Platinum.

  Что еще более важно, полная масса автопоезда составляет 6250 кг. Это означает, например, что для варианта Sport, снаряженная масса которого составляет 2454 кг, у вас останется 296 кг для пассажиров и груза после присоединения прицепа массой 3500 кг. Это немного, но это больше, чем предлагают многие конкуренты. Для справки, у Isuzu MU-X LS-U осталось 245 кг после подключения прицепа весом 3500 кг с его 5900-килограммовым GCM. Toyota Prado VX имеет максимальное тяговое усилие 3000 кг, как и Mitsubishi Pajero Sport GLS (в качестве примера можно сравнить конкурентов с верхними средними характеристиками и Everest Sport).

  Новый турбодизельный двигатель V6, на наш взгляд, идеально подходит для Эвереста. Он действительно плавный и легкий, что делает его идеальным вариантом для больших поездок по стране. Мы не тестировали его с прицепом или трейлером, но можно предположить, что преимущества V6 по сравнению со старым 2,0-литровым битурбированным четырехцилиндровым двигателем будут очевидны. Мы также можем слышать, что V6 заметно тише, чем 2,0-литровый.

  Чем больше цилиндров, тем больше компрессия для торможения двигателем, а крутящий момент V6 в 600 Нм, очевидно, поможет разогнать машину до нужной скорости. Говоря об этом, во время мероприятия мы ушли на тихую проселочную дорогу, чтобы провести некоторые тесты производительности — в ближайшем будущем мы проведем наши обычные, более полные тесты производительности. Согласно нашим первым впечатлениям, мы разогнали 0-100 км/ч за 8,40 секунды, согласно нашему Racelogic Vbox Sport.

  У нас была возможность протестировать новую машину на различных внедорожных трассах, включая крутые подъемы и спуски, а также относительно глубокие грязевые колеи. В частности, с дополнительными внедорожными шинами Everest без проблем справился со всем, что мы ему бросили. Боковые подножки установлены довольно высоко, поэтому они не зацепятся за выступы сразу же, как только вы съедете с дороги. А ход подвески, кажется, обеспечивает хороший изгиб, чтобы колеса были прочно установлены для оптимального сцепления с дорогой. Блокировка заднего дифференциала на большинстве моделей также обеспечивает дополнительную уверенность.

  Глубина брода 800 мм, вероятно, будет более чем достаточной для среднего игрока, хотя мы не уверены в расположении воздухозаборника двигателя, который находится прямо спереди над решеткой радиатора. Вы можете выбрать официальные трубки ARB и т. Д., Если хотите, прямо в дилерском центре. На такие аксессуары также распространяется гарантия Ford для абсолютного спокойствия. Мы слышали, что запчасти через Ford немного дороже, чем через розничного продавца ARB. Но опять же, вы также платите за включение пятилетней гарантии Ford.

  2023 Ford Everest – ВИДЕО

  2023 Ford Everest – ВЕРДИКТ

  Everest остается одним из самых тяжелых семиместных внедорожников на рынке, но теперь он также является одним из самых практичных и самый изысканный. Новые автомобильные возможности подключения и технологии действительно выдвигают его на новую территорию и продвигают эталон еще дальше, опережая большинство конкурентов. А с опцией V6 он должен быть еще лучше для буксировки, обеспечивая при этом легкое движение по шоссе.

КП350А, КП350Б, КП350В, 2П350А, 2П350Б

Поиск по сайту Новости Галогенным лампам снова нашли замену

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КП350 Транзистор КП350 — полевой, с двумя изолированными затворами и каналом n-типа, диффузионно-планарный, кремниевый. Применяется в генераторах, усилителях и преобразователях сверхвысокой частоты (до 700 МГц). Корпус металлостеклянный, выводы гибкие. На корпусе наносится тип транзистора. Дополнительно КП350А, КП350Б и КП350В маркируются двумя чёрными точками на торце корпуса. Весит не более 0.7 г. КП350 цоколевка Цоколевка КП350 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КП350 • Коэффициент шума (статический) при Uси = 10 В, Uзи = 6 В, Iс = 10 мА: f = 400 МГц, 2П350А 4. 8 ÷ 6 дБ типовое значение 5.5 дБ КП350А 3.7 ÷ 6 дБ типовое значение 3.8 дБ КП350В 4.1 ÷ 8 дБ типовое значение 4.8 дБ f = 100 МГц, 2П350Б 4.15 ÷ 6 дБ типовое значение 4.9 дБ КП350Б 2 ÷ 5 дБ типовое значение 3 дБ • Крутизна характеристики по первому затвору при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В, Iс = 10 мА, f = 50 ÷ 1500 Гц: КП350А, КП350Б, КП350В: T = +25°C 6 ÷ 13 мА/В типовое значение 10 мА/В T = −60°C 6 ÷ 13 мА/В типовое значение 11. 5 мА/В T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В типовое значение 8 мА/В 2П350А, 2П350Б: T = +25°C 6 ÷ 11.5 мА/В типовое значение 9.4 мА/В T = −60°C 6 ÷ 15 мА/В типовое значение 11.7 мА/В T = +85°C 4 ÷ 10 мА/В типовое значение 8 мА/В • Крутизна характеристики по второму затвору при Uси = 10 В, Uз1и = 6 В и Iс = 10 мА: 0.6 ÷ 0.85 мА/В типовое значение 0.7 мА/В • Напряжение отсечки по первому затвору при Uси = 15 В, Uз2и = 6 В, Iс = 0. 1 мА: КП350А, КП350Б, КП350В 0.07 ÷ 6 В типовое значение 0.7 В 2П350А, 2П350Б 0.17 ÷ 6 В типовое значение 0.29 В • Напряжение отсечки по второму затвору при Uси = 15 В, Uз1и = 5 В и Iс = 0.1 мА: 0.15 ÷ 4.5 В типовое значение 0.5 мА/В • Начальный ток стока при Uси = 15 В, Uз1и = Uз2и = 0, не более: КП350А, КП350Б, КП350В при T = +25°C 3.5 мА T = −45°C и +85°C 6 мА 2П350А, 2П350Б при T = +25°C 3. 5 мА T = −60°C и +85°C 6 мА • Ток утечки затвора при Uси = 15 В, не более 5 нА • Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ типовое значение 3.5 пФ 2П350А, 2П350Б 3 ÷ 6 пФ типовое значение 3.2 пФ • Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 0. 03 ÷ 0.07 пФ типовое значение 0.05 пФ 2П350А, 2П350Б 0.03 ÷ 0.07 пФ типовое значение 0.04 пФ • Выходная ёмкость при Uси = 10 В, Uз1и = Uз2и = 0, f = 10 МГц: КП350А, КП350Б, КП350В 2.9 ÷ 6 пФ типовое значение 3.2 пФ 2П350А, 2П350Б 3.2 ÷ 6 пФ типовое значение 4 пФ • Активная составляющая выходной проводимости при Uси = 10 В, Uз2и = 6 В и Iс = 10 мА для КП350А, КП350Б и КП350В, не более: 250 мкСм Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КП350 • Напряжение сток — исток 15 В • Напряжение первый затвор — сток для КП350А, КП350Б, КП350В    21 В • Напряжение первый (второй) затвор — исток 15 В • Ток стока 30 мА • Рассеиваемая мощность (постоянная): при T ≤ +25°C 200 мВт при T = +85°C 100 мВт • Рабочая температура (окружающей среды) КП350А, КП350Б, КП350В −45°C . .. +85°C 2П350А, 2П350Б −60°C … +85°C

Транзисторы КТ350, КТ351, КТ352 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзисторов КТ350, КТ351, КТ352

Параметры транзисторов КТ350, КТ351, КТ352

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ350А		MPS6563, 2N2279 *1, 2N5221 *2, 2N995 *3
		КТ351А		ВС216, BFX12 *3, CD9011D *2
		КТ351Б		ВС192, MPSH81, РМВТН81 *2, 2N3576 *3, BFX13 *3, 2SB542 *2
		КТ352А		ВС355А, 2N869
		КТ352Б		ВС355
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ350А	30 °C	300	мВт
		КТ351А	30 °C	300
		КТ351Б	30 °C	300
		КТ352А	30 °C	300
		КТ352Б	30 °C	300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ350А	—	≥100	МГц
		КТ351А	—	≥200
		КТ351Б	—	≥200
		КТ352А	—	≥200
		КТ352Б	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ350А	—	20	В
		КТ351А	10к	15*
		КТ351Б	10к	15*
		КТ352А	—	20
		КТ352Б	—	20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ350А	—	5	В
		КТ351А	—	5
		КТ351Б	—	5
		КТ352А	—	5
		КТ352Б	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ350А	—	600*	мА
		КТ351А	—	400*
		КТ351Б	—	400*
		КТ352А	—	200*
		КТ352Б	—	200*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ350А	10 В	≤1	мкА
		КТ351А	10 В	≤1
		КТ351Б	10 В	≤1
		КТ352А	10 В	≤1
		КТ352Б	10 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ350А	1 В; 0. 5 А	20…200*
		КТ351А	1 В; 0.5 А	20…80*
		КТ351Б	1 В; 0.3 А	50…200*
		КТ352А	1 В; 0.2 А	25…125*
		КТ352Б	1 В; 0.2 А	70…300*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ350А	5 В	≤70	пФ
		КТ351А	5 В	≤20
		КТ351Б	5 В	≤20
		КТ352А	5 В	≤15
		КТ352Б	5 В	≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.	КТ350А	—	≤2	Ом, дБ
		КТ351А	—	≤1.5
		КТ351Б	—	≤2.25
		КТ352А	—	≤3
		КТ352Б	—	≤3
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ350А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ351А	—	—
		КТ351Б	—	—
		КТ352А	—	—
		КТ352Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ350А	—	—	пс
		КТ351А	—	—
		КТ351Б	—	—
		КТ352А	—	—
		КТ352Б	—	≤150*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ827 характеристики (datasheet)

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

Цоколевка и размеры корпуса

Технические характеристики

Основные технические характеристики транзисторов КТ827:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											RТ п-к, °C/Вт
			при T = 25°C
	IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ827А	20	40	100	100	5	125	25	200	100	750. ..18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
КТ827Б	20	40	80	80	5	125	25	200	100	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
КТ827В	20	40	60	60	5	125	25	200	100	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827А	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750. ..18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827А2	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4
2Т827А5	20	40	100	100	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4… 19,4
2Т827Б	20	40	80	80	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т827Б2	20	40	80	80	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4
2Т872В	20	40	60	60	5	125	25	200	125	750. ..18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…10,9
2Т872В2	20	40	60	60	5	125	25	200	125	750…18000	3	10	2	3	4		400	350	1	6	1,4…19,4

Аналоги и замена

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87.

Список возможных замен на зарубежные транзисторы:

Эквивалентная схема составного транзистора КТ827:

Поведение высоковольтных MOSFET транзисторов в преобразователях с мягким переключением: анализ и повышение надежности

В данной статье анализируется поведение MOSFET-транзистора при высоком напряжении питания в мощном конверторе с преобразованием при нулевом напряжении, и выдвигается оригинальная теория причины пробоя MOSFET-транзистора. Здесь также предложены новые технические решения по повышению устойчивости транзистора и, следовательно, надежности всего оборудования.

Преимущества схем конверторов с мягким переключением и, в частности, с переключением при нулевом напряжении (ПНН, также называемое переходом при нуле напряжения или резонансным переходом), известны большинству специалистов. Высокочастотные конверторы, запитываемые от источника высоковольтного напряжения, демонстрируют значительно улучшенные характеристики при использовании топологии с мягким переключением. К данным улучшениям можно отнести:

1. уменьшенные потери на переключение, которые позволяют повысить частоту преобразования и устанавливать реактивные компоненты меньших размеров;
2. уменьшенные электромагнитные и радиопомехи;
3. отсутствие потребности в сложных и дорогостоящих снабберных схемах;
4. использование паразитных элементов схемы для организации резонансного перехода.

Благодаря перечисленным преимуществам топологию с переключением при нулевом напряжении в настоящее время широко используют в силовой электронике и особенно в телекоммуникационных системах электропитания.

MOSFET-транзистор наиболее часто используется в качестве управляемого транзисторного ключа в мостовом преобразователе с переключением при нулевом напряжении. MOSFET-транзистор способен работать на высоких частотах переключения, и его внутренний паразитный диод экономит дополнительный внешний компонент, который необходим в преобразователе для фиксирования напряжения переключения на уровне напряжения источника питания. И внутренний паразитный диод и выходная емкость транзистора являются существенными компонентами для организации резонансного перехода.

Хотя в мостовом преобразователе с переключением при нулевом напряжении MOSFET-транзистор устойчиво работает внутри своей области безопасной работы, и его внутренний паразитный диод никогда не подвергается жесткому выключению, на практике случаются некоторые «необъяснимые» отказы из-за неизбежного использования внутреннего паразитного диода.

В данной статье анализируется поведение MOSFET-транзистора при высоком напряжении питания в мощном конверторе с преобразованием при нулевом напряжении, и выдвигается оригинальная теория причины пробоя MOSFET-транзистора.

Предложены новые технические решения по повышению устойчивости транзистора и, следовательно, надежности всего оборудования. Эффективность этих решений подтверждена работой телекоммуникационного источника электропитания мощностью 6000 Вт и выходного тока 100 А.

Введение

Выпрямитель с выходными параметрами 60 В, 100 А для применения в телекоммуникационных устройствах был разработан с использованием силовых MOSFET-транзисторов на 1000 В в узле DC/DC-конвертора с ПНН. Первоначально использовались компоненты со стандартным восстановлением, поскольку считалось, что внутренние паразитные диоды никогда не подвергаются жесткому выключению, то есть к диодам никогда не прикладывается обратное напряжение, пока по ним протекает прямой ток.

На этапе серийного производства мы фиксировали множество отказов MOSFET-транзисторов в преобразователе с ПНН. Последующее исследование определенно доказало, что транзистор надежно работал в пределах своей области безопасной работы (SOA). Фактически, мы могли продемонстрировать, что при всех возможных нормальных и критических условиях все статические и переходные электрические параметры MOSFET-транзистора оставались в пределах максимально допустимых значений.

В результате анализа отказов, выполненного на статистически значимом количестве компонентов, была получена следующая информация:

1. Наименьшее значение времени обратного восстановления внутреннего паразитного диода уменьшало число отказов. Обратите внимание на то, что мы могли контролировать, устанавливая схему обнаружения и регистрации во всех источниках питания, что внутренний диод MOSFET-транзистора работал без жесткого выключения.
2. Все отказы случались, когда выходная нагрузка снижалась до уровня менее 25% от ее максимальной величины, несмотря на тот факт, что в этом случае MOSFET-транзисторы менее нагружены (то есть работают с более низким значением тока, мощности рассеяния, dv/dt, перенапряжения и т. д.), чем в том случае, когда нагрузка увеличена.
3. Оборудование, которое работало ниже критического значения недонагруженности в течение достаточно длительного промежутка времени, продолжало и дальше работать, практически без отказов MOSFET-транзисторов.
4. Обычно, если в оборудовании происходил отказ MOSFET-транзистора, то после замены неисправного компонента оно работало без аналогичного отказа.

В данной статье делается попытка дать объяснение вышеупомянутой информации, а также предлагаются способы устранения отказов MOSFET-транзистора.

Основные режимы работы мостового преобразователя с использованием фазосдвигающей ШИМ с переключением при нулевом напряжении

Типовая схема (рис. 1) [1–4, 7] включает 4 транзисторных ключа S1–S4, каждый из которых зашунтирован антипараллельным диодом и выходной емкостью. Дополнительная индуктивность и два небольших фиксирующих диода [1] задействованы в первичной обмотке трансформатора для поддержания режима мягкого переключения при уменьшенной нагрузке и ограничения перенапряжения на выходных выпрямительных диодах.

Рис. 1. Мостовой преобразователь с переключением при нулевом напряжении

Преобразователь работает с фиксированной частотой переключения 50 кГц и с регулируемым напряжением питания 800 В. Выходной выпрямитель представляет собой удвоитель тока. Эффективное значение коэффициента заполнения (установленного для напряжения на входе трансформатора) определяется периодом между коммутациями двух плеч моста. В данном преобразователе вместо модуляции фактической ширины импульса драйверов затворов мы поддерживаем коэффициенты заполнения затвора (и транзисторного ключа соответственно) на фиксированном уровне 50% и изменяем момент переключения плеча S3–S4.

Транзисторные ключи в преобразователе работают с отсутствием потерь при включении и с уменьшенными потерями при выключении. Из-за индуктивной нагрузки плеча моста и тока, текущего в нагрузке, будет естественная замена тока транзисторного ключа током антипараллельного диода другого транзисторного ключа в том же самом плече, которая приведет к фактически нулевому напряжению на транзисторном ключе к моменту включения. Это, в свою очередь, исключает потери мощности, вызванные, вопервых, одновременным наличием тока и напряжения в транзисторном ключе при каждом переключении и, во-вторых, разрядом выходной емкости транзисторного ключа. Выходная емкость работает как емкостной снаббер, уменьшая потери на выключение, вызванные конечным временем выключения транзисторного ключа. Паразитные элементы схемы (выходная емкость, индуктивность намагничивания и рассеяния, антипараллельный диод) преимущественно используются для содействия резонансному переключению с низкими потерями.

Транзисторные ключи в данном преобразователе используются иначе, чем в стандартном преобразователе с жестким переключением, так как внутренний антипараллельный диод MOSFET-транзистора и выходная емкость становятся существенными компонентами в резонансном переходе. Временная диаграмма (рис. 2) демонстрирует работу преобразователя.

Рис. 2. Временная диаграмма работы мостового преобразователя с переключением при нулевом напряжении

Полный цикл переключения состоит из семи стадий.

Стадия 1. Передача мощности

Диагональные транзисторные ключи S1 и S4 находятся в открытом состоянии. V_A = 800 В, так как ключ S1 открыт; V_B = 0 В, поскольку ключ S4 тоже открыт; V_P равно полному напряжению питания 800 В. На этой стадии первичный ток трансформатора I_P увеличивается из-за вклада тока намагничивания и особенно из-за тока в выходных катушках индуктивности. Антипараллельные диоды транзисторных ключей не участвуют в работе схемы и ток не проводят. Мощность передается с входа на выход. Эта часть цикла характеризуется открытым состоянием схемы.

Стадия 2. Резонансный переход: от передачи мощности к свободной циркуляции тока

В конце стадии передачи мощности транзисторный ключ S4 переходит в выключенное состояние. Так как ток катушки индуктивности не может резко меняться, он продолжает течь, перезаряжая выходные емкости транзисторных ключей S3, S4 и, таким образом, уровень напряжения в точке V_B поднимается до значения напряжения источника питания 800 В.

Стадия 3. Свободная циркуляция тока (антипараллельный диод)

Когда напряжение в точке V_B достигает напряжения источника питания, антипараллельный диод транзисторного ключа S3 начинает проводить ток, фиксируя напряжение V_B на уровне 800 В. Полный ток первичной обмотки I_P теперь течет через антипараллельный диод.

Стадия 4. Свободная циркуляция тока (антипараллельный диод + переход «сток–исток» транзистора)

Через несколько сотен наносекунд после того, как антипараллельный диод транзистора S3 начал проводить ток, включается транзистор S3 с целью снижения потерь проводимости за счет совмещения открытого перехода «сток–исток» MOSFET-транзистора с открытым состоянием антипараллельного диода. Обратите внимание, что включение транзистора S3 имеет место при нулевом напряжении «сток–исток» транзистора, поэтому включение транзистора происходит без потерь.

Часть (отрицательного) первичного тока I_P теперь течет через переход «сток–исток» транзистора S3; остающийся ток течет в антипараллельном диоде. Весь ток транзистора S1 положителен и течет в переходе «сток–исток» транзистора. V_A = 800 В, так как транзистор S1 открыт; V_B = 800 В, так как транзистор S3 тоже открыт, и V_P = 0 В.

Рассмотренная часть цикла характеризуется свободной циркуляцией тока. Это позволяет фиксировать частоту преобразования; фактически, данная ситуация сохраняется до начала включения другой диагонали (прохождение тока через транзисторы S2 и S3). Эта часть цикла обычно длится несколько микросекунд.

Стадия 5. Резонансный переход: от свободной циркуляции тока к передаче мощности

Транзисторный ключ S1 выключен, и ток в нем отклонен от перехода «сток–исток» транзистора к выходной емкости. Если ток перехода «сток–исток» транзистора спадает к нулю прежде, чем существенно повысилось напряжение V_DS, мы получаем выключение без потерь. Ток теперь перезаряжает выходные емкости S1 и S2, устанавливая напряжение V_A от 800 к 0 В.

Стадия 6. Резонансный переход: от свободной циркуляции тока к передаче мощности (антипараллельный диод)

Когда точка V_A достигает нулевого напряжения, антипараллельный диод S2 начинает проводить ток, фиксируя напряжение в точке V_A на нулевом уровне. Весь первичный ток I_P теперь течет в антипараллельном диоде транзистора S2, а также в антипараллельном диоде и переходе «сток–исток» транзистора S3. Напряжение в точке V_A = 0 В, так как S2 открыт; напряжение в точке V_B = 800 В, поскольку S3 открыт, и V_P = –800 В. Ток I_P быстро уменьшается, так как токи в трансформаторе и во внешних катушках индуктивности теперь текут в разных направлениях.

Стадия 7. Передача мощности

Стадия 6 длится несколько сотен наносекунд, пока не откроется транзистор S2. Далее он опять включается без потерь при отсутствии напряжения на переходе «сток–исток». Ток через антипараллельные диоды транзисторов S2 и S3 быстро спадает к нулю, потому что переход «сток–исток» транзистора MOSFET отводит от них часть тока, в основном потому, что полярность напряжения на первичной обмотке трансформатора меняет направление тока I_P на противоположное.

К моменту завершения процесса накопления заряда в катушках индуктивности мощность передана на выход, и преобразователь находится в состоянии, подобном стадии 1. Согласно параметрам нашей схемы, цикл длится приблизительно 7 мкс. Теперь преобразователь готов повторить следующий цикл, сходный с вышеупомянутым, на сей раз с диагональной парой S2–S3.

Как мы можем видеть, транзистор MOSFET всегда выключается только после того, как ток в его антипараллельном диоде полностью изменил направление и в течение нескольких микросекунд протекал непосредственно в переходе «сток–исток» транзистора MOSFET; следовательно, после того, как антипараллельный диод прекращает проводить ток, он несколько микросекунд подвергается воздействию высокого значения dv/dt.

Описание антипараллельного диода

Все мощные MOSFET-транзисторы имеют паразитный биполярный транзистор в своей структуре. Вертикальная ДМОП-структура, как показано на рис. 3, имеет переход «база–эмиттер» биполярного транзистора, закороченный металлизацией истока, и формирует таким образом «антипараллельный диод».

Рис. 3. Вертикальное поперечное сечение ДМОП-структуры

Если этот паразитный биполярный транзистор становится активным, может произойти классический случай вторичного пробоя с перераспределением тока. Этот механизм достаточно хорошо описан в литературе, а также в статьях по применению MOSFET-транзистора [5, 6].

Захват тока приводит к локальному нагреву, увеличивая тем самым усиление биполярного транзистора, от этого сокращается значение тока, и, в конечном счете, транзистор отказывает. При прямом смещении антипараллельного диода неосновные носители, остающиеся в области базы в течение времени восстановления диода, могут вызвать разрушение транзистора.

Теория механизма разрушения

Согласно общим представлениям о топологии переключения при нулевом напряжении (ПНН), где MOSFET-транзистор находится в открытом состоянии, в то время как внутренний паразитный диод проводит ток, этот диод не будет подвержен вторичному пробою, поскольку ток полностью протекает в обратном направлении в течение достаточно продолжительного для восстановления диода промежутка времени.

В действительности заряд останется запасенным во внутреннем паразитном диоде на более длительное время, чем величина времени обратного восстановления, указанная в документации, либо до тех пор, пока не будет приложено высокое напряжение, которое приведет к рассасыванию неосновных носителей в переходе. Поэтому, когда к внутреннему паразитному диоду прикладывается высокое обратное напряжение, все еще есть вероятность вторичного пробоя (даже по прошествии относительно большого промежутка времени).

В типичной топологии ПНН прямой ток через внутренний паразитный диод фиксирует выходное напряжение к положительной или к отрицательной шине. Этот прямой ток приводит к генерации неосновных носителей и в слое p-типа, и в эпитаксиальных n-слоях (рис. 4).

Рис. 4. Протекание прямого тока во внутреннем паразитном диоде

Затем переход MOSFET-транзистора открывается и отбирает часть тока, протекающего через канал внутреннего паразитного диода. Переход «сток–исток» MOSFET-транзистора может проводить ток в обоих направлениях. Отклонение тока от внутреннего паразитного диода уменьшит генерацию неосновных носителей, но не остановит ее (рис. 5).

Рис. 5. Протекание прямого тока во внутреннем паразитном диоде и переходе MOSFET;транзистора

Затем внешняя схема полностью изменяет направление тока через транзистор. Это приводит к появлению небольшого обратного тока во внутреннем паразитном диоде. Обратный ток невелик из-за незначительного электрического поля, созданного низким напряжением, произведенным текущим током в переходе с низким сопротивлением. В результате некоторые неосновные носители будут охвачены полем и удалены из перехода (рис. 6).

Рис. 6. Обратное протекание тока во внутреннем паразитном диоде и переходе транзистора

После короткого промежутка времени достаточное количество носителей будет удалено, что позволит переходу поддерживать небольшое значение напряжения. В это время большая часть тока отведена в резистивный канал и развивает положительное напряжение через R_DS(on), что, в свою очередь, слегка смещает диодный переход в обратном направлении. Некоторые носители будут продолжать устраняться в результате нормального процесса рекомбинации, а некоторые — в результате принудительного процесса, который зависит от напряжения, приложенного к диоду (рис. 7).

Рис. 7. Обратное протекание тока только в переходе транзистора

Величина этого напряжения зависит от тока первичной обмотки и, следовательно, от выходной нагрузки. Если это напряжение маленькое, большое количество неосновных носителей остается в переходе в течение значительного времени. Когда переход будет в закрытом состоянии, MOSFET-транзистор начнет поддерживать напряжение, создающее более высокое обратное напряжение на внутреннем паразитном диоде. Приложенное высокое обратное напряжение на внутреннем паразитном диоде охватит остающиеся в переходе носители (рис. 8). Если обратный ток приблизится к величине, достаточной для активизации паразитного биполярного транзистора, может произойти вторичный пробой, разрушающий MOSFET-транзистор.

Рис. 8. Обратное протекание тока только во внутреннем паразитном диоде

При маленькой нагрузке (то есть при низком значении тока в MOSFET-транзисторе) низкого положительного падения напряжения на сопротивлении канала недостаточно, чтобы провести полную рекомбинацию неосновных зарядов к моменту окончания времени открытого состояния транзистора. Это особенно справедливо в случае большой величины времени обратного восстановления внутреннего паразитного диода.

С другой стороны, при большой нагрузке (то есть при большом значении тока в MOSFET-транзисторе) увеличенного падения напряжения на сопротивлении канала может оказаться достаточно, чтобы провести полную рекомбинацию неосновных зарядов к моменту окончания времени открытого состояния транзистора. Это обеспечит безопасное закрытие транзистора.

Допустим, что совокупность MOSFET-транзисторов обладает статистическим распределением (нормальным, например) относительно времени рекомбинации, его зависимости от обратного напряжения, приложенного к диоду, усиления паразитного n-p-n-транзистора, его устойчивости к скорости нарастания dv/dt и т. д. В результате, при тех же самых рабочих режимах только определенная часть из всех рассматриваемых компонентов может представлять интерес для рассматриваемой нами проблемы. Эти склонные к разрушению MOSFET-транзисторы должны быть наиболее медленными из всех компонентов с перечисленными статистическими распределениями. Объясним, почему это так.

• Чем короче время обратного восстановления внутреннего паразитного диода, тем более низкая интенсивность отказов: t_rr — хороший показатель времени рекомбинации неосновных зарядов, и этот параметр очень важен в нашей гипотезе. Следовательно, мы имеем следующую ситуацию (рис. 9):

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p9-3.png» alt=»Рис. 9. Распределение критичных MOSFET-транзисторов от t_rr» title=»» width=»303″ height=»189″>

Рис. 9. Распределение критичных MOSFET-транзисторов от t_rr

Конечно, как было сказано прежде, следует учитывать как можно большее количество параметров для определения устойчивости MOSFET-транзистора в ПНН-конверторах, но единственный доступный в документации и весьма просто измеряемый параметр — t_rr.

• Существуют ситуации, когда часть источников питания работает в течение долгого времени без проблем, а другая часть идентичных источников питания выходит из строя за короткое время при тех же самых рабочих режимах: могло сломаться только то оборудование, в котором использовался «слабый» транзистор (более медленный).
• Оборудование, исправно проработавшее продолжительное время (даже при работе на критически малую нагрузку), имеет хорошие шансы и дальше работать без проблем: после отказа части более слабых MOSFET-транзисторов оставшиеся являются более живучими.
• Как правило, оборудование с отказавшим MOSFET-транзистором после однократной замены отказавшего элемента далее работает без аналогичных отказов: поскольку «слабые» компоненты составляют незначительную часть от всей совокупности, со статистической точки зрения очень маловероятно восстановление оборудования с использованием другого «слабого» транзистора.

Результаты экспериментов с внутренним паразитным диодом

1. Оценка запасенного заряда, остающегося в переходе

Для оценки обсуждаемой теории была построена схема испытаний (см. упрощенный вариант схемы на рис. 10). Она работает по следующему принципу. Сначала мы пропускаем прямой ток во внутреннем паразитном диоде тестируемого устройства; затем останавливаем протекание тока без приложения обратного напряжения к переходу. Наконец, после заданного периода времени обратное напряжение прикладывается к переходу внутреннего паразитного диода, и измеряется остающийся заряд обратного восстановления. Канал тестируемого устройства может быть включен или выключен в любое время до или во время испытательного цикла для выяснения последствий от смещения на затворе.

Рис. 10. Упрощенная схема

Для определения величины заряда обратного восстановления проводилось предварительное испытание без подачи прямого тока через внутренний паразитный диод и с приложением обратного напряжения 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс. Он определен как базовый уровень заряда, или количество заряда, в котором отсутствует заряд, запасенный в результате прохождения прямого тока.

Проводился ряд испытаний для определения требуемого времени для рекомбинации всего запасенного в переходе заряда после прекращения прохождения прямого тока. Канал оставался закрытым в течение этих испытаний. Эти испытания проводились при прямом токе 5 А в течение 10 мкс и обратном напряжении 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс. Данное обратное напряжение вначале прикладывалось через 100 нс после того, как был выключен прямой ток. Далее испытание с включением обратного напряжения повторялось с увеличением интервала времени до тех пор, пока не был достигнут базовый уровень заряда обратного восстановления. Эти испытания проводились на APT10026JN — стандартном MOSFET-транзисторе и на APT10025JVFR — FREDFET-транзисторе (MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся внутренним паразитным диодом). Результаты показаны на рис. 11.

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p11-1.png» alt=»Рис. 11. Запасенный заряд, остающийся в переходе после прохождения прямого тока, стал равным нулю (V_gate = 0 В)» title=»» width=»299″ height=»304″>

Рис. 11. Запасенный заряд, остающийся в переходе после прохождения прямого тока, стал равным нулю (V_gate = 0 В)

Из рис. 11 ясно, что заряд остается в переходе какое-то более длительное время, чем указано в значении времени обратного восстановления. Стандартный MOSFET-транзистор был почти восстановлен через 100 мкс, но требовалось до 200 мкс времени, чтобы восстановить транзистор полностью.

FREDFET-транзистор был почти восстановлен через 3 мкс и полностью восстановлен менее чем через 10 мкс. FREDFET-транзистор восстанавливался намного быстрее, чем стандартный MOSFET-транзистор из-за более короткой продолжительности жизни неосновных носителей, приводящей к более быстрой рекомбинации.

2. Оценка последствий смещения затвора при запасенном заряде

Для исследования включения канала транзистора при запасенном в переходе заряде проводился другой ряд испытаний. Данный режим достигался за счет подачи потенциала на затвор тестируемого устройства в течение периода прямого прохождения тока. Запасенный заряд был измерен через 1 мкс после того, как прямой ток был остановлен.

Как и прежде, эти испытания проводились при 5 А прямого тока в течение 10 мкс и обратном напряжении 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс. Данное обратное напряжение прикладывалось через 1 мкс после того, как прямой ток был выключен.

Первое измерение было проведено с выключенным каналом транзистора. Второе измерение (рис. 12) было проведено с включением канала транзистора за 1 мкс до того, как прямой ток был выключен, и выключением канала транзистора за 300 нс до подачи обратного напряжения.

Рис. 12. Выбор временных отсчетов для измерения эффектов в канале транзистора при запасенном заряде, остающемся в переходе транзистора

Последующие измерения производились с увеличением времени открытого состояния канала транзистора с шагом 1 мкс и выключением канала всегда в то же самое время (300 нс до момента приложения обратного напряжения). Результаты приведены на рис. 13.

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p13-3.png» alt=»Рис. 13. Зависимость запасенного заряда, остающегося в переходе от времени (V_gate = 15 В)» title=»» width=»279″ height=»278″>

Рис. 13. Зависимость запасенного заряда, остающегося в переходе от времени (V_gate = 15 В)

Ясно, что включение канала в течение интервала прямой проводимости внутреннего паразитного диода уменьшает количество запасенного заряда, и чем скорее канал транзистора перейдет во включенное состояние, тем меньше величина остающегося заряда. Однако запасенный заряд стандартного MOSFET-транзистора никогда не достигает нулевого значения в течение периода проводимости (10 мкс), даже если канал транзистора находится во включенном состоянии перед состо янием проводимости внутреннего паразитного диода.

С другой стороны, FREDFET-транзистор из-за короткой продолжительности жизни неосновных носителей имеет фактически нулевой запасенный заряд при включенном состоянии канала транзистора в течение последней микросекунды перед состоянием проводимости внутреннего паразитного диода.

3. Последствия от смещения затвора при обратном восстановлении

Мы подготовили испытательную установку (рис. 14) для тестирования поведения внутренних паразитных диодов при обратном восстановлении. Мы были заинтересованы в получении данных не по результатам «абсолютных измерений», а скорее «сравнительных измерений» при тех же самых условиях испытаний.

Рис. 14. Испытательная установка для измерения обратного восстановления

Испытательное оборудование работает следующим образом. Постоянный ток I_f, создаваемый генератором тока, протекает через внутренний паразитный диод. Далее мы резко меняем полярность напряжения, приложенного к переходу диода, посредством внешнего ключа, связанного с источником отрицательного напряжения V_r, приложенного к стоку. К затвору также может быть приложено напряжение. Фиксируемые сигналы — диодный ток (ток стока) и диодное напряжение (напряжение «сток–исток») (рис. 15).

Рис. 15. Пример формы сигнала обратного восстановления

Обратите внимание, что на рисунке диодный ток представлен в перевернутом виде: отрицательная часть формы сигнала — прямой ток в диоде, положительная часть — ток восстановления. Во всех измерениях прямой ток I_f — 2,5 А и обратное напряжение V_r — 1 В. Напряжение затвора равно 0 или 3 В.

Мы проверили несколько MOSFET-транзисторов. Рис. 16–19 показывают результаты испытаний для стандартного MOSFET-транзистора и для FREDFET-транзистора.

Стандартный MOSFET-транзистор

Как показано на рис. 16, в случае V_g = 0 В величина t_b принимает большие значения. Это означает, что рекомбинация заряда требует много времени. Фактически, этот интервал закончен только в случае, когда неосновные носители, которые находятся на некотором расстоянии от перехода, захвачены и притянуты назад к переходу и, кроме того, емкость обратно-смещенного перехода заряжена до значения V_r. Когда затвор смещен напряжением 3 В (рис. 17), величины t_rr и Q_rr (заряд обратного восстановления) уменьшаются значительно. Обратите внимание, что величина напряжения 3 В недостаточно велика, чтобы открыть канал транзистора и пропустить существенный ток.

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p16-1.png» alt=»Рис. 16. Обратное восстановление стандартного MOSFET-транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 500 нс/дел. » title=»» width=»457″ height=»348″>

Рис. 16. Обратное восстановление стандартного MOSFET-транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 500 нс/дел.

Рис. 17. Обратное восстановление стандартного MOSFET-транзистора. I_f = 2,5A, V_r = 1 В, V_g = 3 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 500 нс/дел

FREDFET-транзистор

В FREDFET-транзисторе мы можем наблюдать то же самое явление, но в этом случае сокращение t_rr меньшее (рис. 18 и 19).

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p18-1.png» alt=»Рис. 18. Обратное восстановление FREDFET;транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел» title=»» width=»457″ height=»348″>

Рис. 18. Обратное восстановление FREDFET;транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел

<img src=»https://kit-e. ru/wp-content/uploads/136p19-1.png» alt=»Рис. 19. Обратное восстановление FREDFET;транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 3 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел» title=»» width=»457″ height=»348″>

Рис. 19. Обратное восстановление FREDFET;транзистора. I_f = 2,5 A, V_r = 1 В, V_g = 3 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел

По результатам проведенных испытаний, выполненных на нескольких MOSFET-транзисторах от различных поставщиков, можно сделать вывод о том, что небольшое положительное смещение на затворе (близкое, но не достигающее порогового значения напряжения открывания транзистора) имеет большое влияние на обратное восстановление внутреннего паразитного диода, даже при том, что канал транзистора фактически выключен. Достоверным объяснением данного поведения можно считать следующее: дополнительные электроны в канале транзистора имеют тенденцию повторно объединяться с избыточными «дырками», запасенными в эпитаксиальном n-слое, ускоряя, таким образом, восстановление внутреннего паразитного диода.

4. Последствия протекания тока в канале (полевого транзистора) и состояние канала во времени при запасенном заряде, остающемся в переходе

Для определения результатов протекания тока в канале полевого транзистора при запасенном заряде проводился другой ряд испытаний: пропускали прямой ток через диод в тестируемом устройстве и затем полностью меняли полярность тока (то есть меняли прямой ток через диод на прямой ток канала полевого транзистора равной величины) и поддерживали прямой ток канала транзистора в течение 2 мкс. Канал тестируемого устройства включался до или в момент перенаправления тока и выключался позже, через 2 мкс. Затем, через 200 нс после того, как канал транзистора был выключен, мы прикладывали к диоду обратное напряжение 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс и измеряли запасенный заряд. Эти испытания проводились с 2 и 9 А прямого тока, протекающего через диод в течение 5 мкс. Первое измерение было предпринято при выключенном канале. Второе измерение было предпринято за 1 мс перед перенаправлением тока, когда канал находился во включенном состоянии.

Рис. 20. Зависимость запасенного заряда, остающегося в переходе, от состояния канала во времени с 2 и 9 А прямого тока

Последующие измерения были предприняты с включением канала полевого транзистора на 1 мкс ранее, поддерживая канал во включенном состоянии в течение 2 мкс после перенаправления тока и выключая канал за 200 нс до приложения обратного напряжения. Результаты показаны на рис. 20. Из рисунков ясно, что хотя 9 А прямого тока через диод привели к более высоким значениям начального запасенного заряда, чем 2 А (прямого тока через диод), запасенный заряд был удален более эффективно в случае нахождения канала транзистора во включенном состоянии. Причина этого кроется в более высоком падении напряжения через канал (из-за более высокого значения тока), которое охватит большее количество заряда в переходе. Это объясняет, почему отказы произошли в случае низкого уровня выходной мощности. В диоде остается большее количество заряда, которое делает диод более восприимчивым к вторичному пробою при приложении высокого напряжения.

Технические способы повышения надежности приборов

Для повышения устойчивости работы полевого транзистора и, следовательно, надежности оборудования было исследовано несколько решений.

1. Использование FREDFET-транзисторов

MOSFET-транзисторы с более быстрым временем обратного восстановления внутреннего паразитного диода демонстрируют большую устойчивость и прочность при работе в ПНН-преобразователе. В настоящее время доступны MOSFET-транзисторы с внутренним паразитным диодом, обладающим временем обратного восстановления приблизительно в десять раз меньше времени восстановления у полевых транзисторов, производимых несколько лет назад. Это особенно справедливо для случая полевых транзисторов высокого напряжения (800 В и 1000 В). Наш опыт показывает, что долговременная интенсивность отказов ПНН-преобразователей, построенных с 800-вольтовыми или 1000-вольтовыми FREDFET-транзисторами намного меньше, чем таковая для ПНН-преобразователей, построенных со стандартными MOSFET-транзисторами высокого напряжения.

Мы также рассмотрели три других возможных варианта повышения устойчивости, каждый из которых требует некоторой модификации схемы ПНН-преобразователя.

2. Модификации конвертора

Цель модификаций состоит в том, чтобы избежать использования внутреннего паразитного диода или, по крайней мере, минимизировать последствия его влияния на работу схемы. Рассматривались три возможности:

1. Проводимость тока внутренним паразитным диодом может быть предотвращена путем добавления перенаправляющих диодов (current-steering diodes) — диод Шоттки последовательно со стоком MOSFET-транзистора наряду с ультрабыстрым антипараллельным обводным диодом (рис. 21).

Рис. 21. Исключение проводимости внутреннего паразитного диода с использованием перенаправляющих диодов

В этом случае внутренний паразитный диод никогда не проводит ток. Однако это решение весьма дорого и сложно, кроме того, последовательный диод увеличивает потери проводимости.

2. Нами было замечено, что в случае выходных нагрузок выше 25% предельного значения (который означает высокий ток в ПНН-конверторе и, следовательно, высокое падение напряжения на сопротивлении R_DS(on) в течение времени, когда транзистор находится во включенном состоянии) вероятность отказа незначительна. Ожидается, что вероятность отказа будет уменьшена при незначительной нагрузке, если мы поддерживаем достаточно высокое напряжение «сток–исток», вынуждая неосновные носители полностью рекомбинировать перед окончанием включенного состояния транзистора. Это может быть достигнуто путем добавления схемы исключения насыщения. На рис. 22 показано упрощенное схемное решение исключения насыщения транзистора.

Рис. 22. Упрощенная схема исключения насыщения

При использовании стабилитрона с надлежащим напряжением стабилизации, в случае незначительной нагрузки MOSFET-транзистор вынужден работать в линейной области своей рабочей характеристики. В этой области напряжение «сток–исток» больше не связано с током, протекающим в MOSFET-транзисторе, оно постоянно и равно разнице между управляющим напряжением и суммой напряжений стабилитрона и выпрямительного диода. Напряжение стабилитрона должно быть выбрано таким, чтобы установить напряжение «сток–исток», по крайней мере, столь же высоким, как это было при 25% от предельной величины нагрузки. При большей нагрузке падение напряжения через сопротивление R_DS(on) выше, чем фиксированная величина, установленная напряжением управления затвором, а также напряжениями стабилитрона и выпрямительного диода, и поведение работы схемы является обычным.

Главные проблемы рассмотренного решения:

• высокие требования к точности напряжения на стабилитроне и температурная зависимость;
• увеличенное потребление мощности драйвера MOSFET-транзистора;
• сложность схемы и дороговизна.

3. Подобно схеме исключения насыщения, третье решение предотвращает проводимость внутреннего паразитного диода только в случае опасности возникновения проблемы, то есть при незначительной нагрузке. Это решение оказалось простым и эффективным без дальнейшего увеличения сложности конвертора.

Более тщательное рассмотрение основных режимов работы мостового преобразователя с мягким переключением (стадии от 2 до 4) показывает, что внутренний паразитный диод может проводить, только если напряжение «сток – исток» достигает нуля прежде, чем транзистор переходит во включенное состояние (рис. 23).

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p23-1.png» alt=»Рис. 23. Стандартный режим незначительной нагрузки. I_o = 10 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 500 нс/дел» title=»» width=»460″ height=»350″>

Рис. 23. Стандартный режим незначительной нагрузки. I_o = 10 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 500 нс/дел

Если мы переводим MOSFET-транзистор во включенное состояние прежде, чем его напряжение «сток–исток» достигает нуля (рис. 24), канал MOSFET-транзистора будет работать параллельно с внутренним паразитным диодом до того момента, как начнет протекать ток в транзисторе. Это, в свою очередь, предотвращает протекание тока во внутреннем паразитном диоде. Фактически, если падение напряжения через R_DS(on) меньше, чем пороговое напряжение внутреннего паразитного диода, ток будет течь только в канале полевого транзистора. Именно это происходит при незначительной нагрузке.

<img src=»https://kit-e. ru/wp-content/uploads/136p24.png» alt=»Рис. 24. Улучшенное поведение транзистора при незначительной нагрузке. I_o = 10 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел» title=»» width=»460″ height=»350″>

Рис. 24. Улучшенное поведение транзистора при незначительной нагрузке. I_o = 10 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел

Мы можем добиться включения MOSFET-транзистора прежде, чем его напряжение «сток–исток» достигнет нуля, во-первых, путем сокращения времени задержки включения или, во-вторых, путем сокращения dv/dt — скорости нарастания напряжения «сток–исток». Оба условия могут быть легко выполнены: первое требует изменения величины сопротивления в плате управления, которая устанавливает надлежащую задержку между транзисторными ключами, второе требует увеличения величины внешнего снабберного конденсатора, помещенного параллельно с каждым транзисторным ключом. (Эти конденсаторы обычно требуются, чтобы сократить потери на выключение; они замедляют нарастание напряжения «сток–исток», и в результате выключение тока транзистора заканчивается с незначительным напряжением на MOSFET-транзисторе).

Обратите внимание, что, открывая MOSFET-транзистор при напряжении, отличном от нуля, мы теряем преимущества переключения при нулевом напряжении. Это, однако, не проблема, так как это происходит при незначительной нагрузке, где небольшое снижение эффективности легко можно допустить. Так или иначе, мы имеем «квазипереключение при нулевом напряжении», поскольку напряжение «сток–исток» имеет достаточно времени, чтобы приблизиться к нулю до включения MOSFET-транзистора. Так как потери на включение транзистора пропорциональны квадрату напряжения на снабберном конденсаторе, режима квазипереключения при нулевом напряжении достаточно, чтобы поддерживать потери на включение на приемлемо низком уровне.

Если происходит увеличение тока нагрузки, наклон напряжения «сток–исток» также увеличивается и при фиксированной задержке включения напряжение «сток–исток» приближается к нулю в момент включения MOSFET-транзистора (рис. 25).

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p25. png» alt=»Рис. 25. Квазипереключение при нулевом напряжении при средней нагрузке. I_o = 30 А, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел» title=»» width=»460″ height=»350″>

Рис. 25. Квазипереключение при нулевом напряжении при средней нагрузке. I_o = 30 А, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел

Выше некоторого значения нагрузки напряжение «сток–исток» достигнет нуля прежде, чем включится MOSFET-транзистор. В этом случае конвертор работает с преимуществами переключения при нулевом напряжении (рис. 26).

<img src=»https://kit-e.ru/wp-content/uploads/136p26.png» alt=»Рис. 26. Переключение при нулевом напряжении в случае большой нагрузки. I_o = 75 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел» title=»» width=»460″ height=»350″>

Рис. 26. Переключение при нулевом напряжении в случае большой нагрузки. I_o = 75 A, V_DS: 100 В/дел, V_g: 2 В/дел, 100 нс/дел

Применение этого решения существенно понизило вероятность отказа MOSFET-транзистора без усложнения схемы и изменений в расположении компонентов. В массовом производстве это решение использовалось в комбинации с FREDFET-транзисторами. Эффективность такого комплексного решения была доказана статистическим анализом, выполненным на более чем 500 приборах, которые суммарно проработали в течение свыше 3 миллионов часов. Этот анализ подтвердил, что вероятность отказа MOSFET-транзисторов в ПНН-конверторе теперь незначительна.

Выводы

Данная статья пытается объяснить некоторые до сих пор необъяснимые отказы, которые наблюдались в конверторах с переключением при нулевом напряжении (в особенности в мостовом преобразователе с фазовым сдвигом) с использованием высоковольтного MOSFET-транзистора.

Главным механизмом отказа MOSFET-транзисторов является вторичный пробой паразитного биполярного транзистора. Вторичный пробой может происходить, когда паразитный биполярный транзистор активизирован остаточным зарядом, оставшимся в результате проводимости внутреннего паразитного диода. Согласно общим представлениям о конверторах с переключением при нулевом напряжении, в которых открытый внутренний паразитный диод обычно шунтируется сопротивлением канала, в полевом транзисторе не остается заряд после периода проводимости тока. Как разъяснено в статье, а также продемонстрировано на примере экспериментально полученных данных, это не соответствует истине: заряд, остающийся в стандартных MOSFET-транзисторах, может быть существенен и часто достаточен, чтобы вызвать вторичный пробой.

С другой стороны, заряд, остающийся в MOSFET-транзисторах с быстровосстанавливающимся внутренним паразитным диодом (FREDFET-транзисторы), достаточно мал, и здесь проблема вторичного пробоя практически исчезает. Полная защита против вторичного пробоя может быть достигнута путем совместного использования FREDFET-транзистора с незначительной модификацией в конверторе. Эта модификация заключается в увеличении емкости снабберной цепи, помещенной параллельно MOSFET-транзистору таким образом, что канал полевого транзистора включается прежде, чем напряжение «сток–исток» достигнет нуля, и внутренний паразитный диод начнет проводить ток. Как рассмотрено в статье, это может быть сделано без существенного влияния на эффективность преобразователя с предельной нагрузкой, так как согласно сделанным в статье заключениям преждевременное включение канала необходимо только при незначительной нагрузке.

В то время как может ожидаться маленькое снижение эффективности при незначительной нагрузке из-за потери преимущества переключения при нулевом напряжении, эффективность на предельной нагрузке должна увеличиться из-за сокращения потерь на выключение, вызванного большими емкостями снабберной цепи. Статистический анализ отказа испытываемых источников питания доказывает, что комбинация FREDFET-транзисторов с увеличением емкости снабберной цепи фактически устраняет отказы MOSFET-транзистора, вызванные запасенным зарядом внутреннего паразитного диода.

Авторы благодарят Mr. Luca Franzan из SICON за полезные дискуссии и ценные комментарии, а также его общий вклад в данную работу.

1. Redl R., Balogh L., and Nathan O. Sokal. A Novel Soft Switching Full Bridge DC/DC Converter: Analysis, Design Considerations and Experimental Results at 1.5 kW, 100 kHz. PESC ′90 Record.
2. Andreycak B. Designing a Phase Shifted Zero Voltage Transition (ZVT) Converter. Topic 3 in the Unitrode Power Supply Design Seminar Manual. SEM-900. 1993. Unitrode Corporation.
3. Andreycak B. Design Review: 500W, 40W/in3 Phase Shifted ZVT Power Converter. Topic 4 in the Unitrode Power Supply Design Seminar Manual. SEM-900. 1993. Unitrode Corporation.
4. Andreycak B. Phase Shifted, Zero Voltage Transition Design Considerations and the UC3875 PWM Controller. Unitrode Application Note U-136A.
5. Pelly B. The Do′s and Dont′s of Using the Power HEXFET. International Rectifier Application Note 936A.
6. Avalanche and dv/dt Limitation of the Power MOSFET. Chapter 5. Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data Book. DL 135/D.
7. Certain features of the circuit topology are protected by US Pat. 5,198,969. Readers should refer to the patent for details.

Транзистор КТ315: характеристики, цоколевка, маркировка, аналоги

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Содержание

1. Предназначение
2. Корпус, цоколевка и размеры
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Маркировка
7. Аналоги
8. Отечественное производство
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

• Относительно высокий коэффициент усиления h_FE: значение до 350 в схеме с общим эмиттером.
• Относительно широкая полоса пропускания: частота среза f_T ˃ 250 МГц.
• Комплементарная пара: КТ361, КТ361-1.

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические параметры

Параметр	Ток коллектора выключения	Ток эмиттера выключения	Статический коэффициент усиления	Напряжение насыщения	Напряжение насыщения	Частота среза	Емкость коллектора	Пост. времени коллектор-ной цепи
Обозначение	ICBO, мкА	IEBO, мкА	hFE	UCE(sat), В	UBE(sat), В	fT, МГц	пФ	пс
Режим/Тип	UCB = 10 В IE = 0	UBE = 6 В	UCB = 10 В IE = 1 мА	IC = 20 мА IB = 2 мА	IC = 20 мА IB = 2 мА	UCE = 10 В IE = 5 мА	UCB = 10В	UCB = 10 В IE = 5 мА f = 5 МГц
КТ315А	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 300
КТ315А1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Б	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Б1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315В	1	30	20…90	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315В1	0,5	30	30…120	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Г	1	30	50…350	0,4	1,1	˃ 250	7	˂ 500
КТ315Г1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Д	1	30	20…90	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Д1	0,6	30	20…90	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Е	1	30	50…350	1	1,5	˃ 250	7	˂ 1000
КТ315Е1	0,6	30	50…350	0,6	1,1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Ж	1	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	˂ 1000
КТ315Ж1	0,6	30	30…250	0,5	0,9	˃ 250	10	300…1000
КТ315И	1	50	˃ 30	—	—	˃ 250	—	—
КТ315И1	0,6	50	˃ 30	0,9	1,35	˃ 250	10	300…1000
КТ315Н1	0,5	30	50…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000
КТ315Р1	0,5	3	150…350	0,4	1	˃ 250	7	300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера I_E при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении U_CE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τ_С [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера I_E = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Транзистор bc547 аналоги, datasheet на русском, параметры, схема

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Биполярный транзистор BC547B — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

BC547B

Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0. 2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030. 1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi. com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Примечания:

1. У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Новейшее из новостей

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7. .9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Биполярный транзистор BC547C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0. 5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC547C

Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0. 2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Примечания:

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

BC547BA3 Datasheet (PDF)

0.1. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8. 2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

onsemi MJL4281AG Транзистор NPN, 15 А, 350 В, 3-контактный TO-3PBL

Это изображение представляет ассортимент продукции

Посмотреть все Биполярные транзисторы

Доступно для заказа.

Добавить в корзину

Этот продукт в настоящее время недоступен для заказа.

К сожалению, этого товара нет на складе, и в настоящее время он недоступен для заказа.

tickДобавлено

Посмотреть корзину

Цена за штуку (в тубе 25 шт.)

PHP312.306

(EXC. NAC)

PHP349.783

(INC. НДС)

		на душу. PHP312.306	PHP7,807.65
50 — 75	PHP302. 937	PHP7,573.425
100 — 225	PHP293.849	PHP7,346.225
250 — 475	285.034 филиппинских песо	PHP7,125.85
500 +	PHP276.483	PHP6,912.075
*price indicative

RS Stock No.:

100-7570

Mfr. Часть №:

MJL4281AG

Производитель:

ONSEMI

COO (Страна происхождения):

CZ

Технические данные.0113

• docZipSchematic Symbol & PCB Footprint

Legislation and Compliance

COO (Country of Origin):

CZ

Product Details

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Стандарты

Номера деталей производителя с префиксом NSV соответствуют автомобильным требованиям стандарта AEC-Q101.

Технические характеристики

Напечатанная на струйной печати растяжимая низковольтная синаптическая матрица транзисторов

. 2019 18 июня; 10 (1): 2676.

doi: 10.1038/s41467-019-10569-3.

Ф Молина-Лопес
¹

2
, ТЗ Гао
³
, У Крафт
⁴

5
, Чжу
⁴
, Т Олунд
¹

6
, Р Пфаттнер
¹

7
, В. Р. Фейг
³
, Ю Ким
⁴
, С. Ван
¹

8
, Ю Юнь
⁹
, Z Бао
¹⁰

Принадлежности

• ¹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, 443 Виа Ортега, Стэнфорд, Калифорния, -4125, США.
• ² Кафедра материаловедения, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44, 3001, Leuven, Бельгия.
• ³ Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, 496 Lomita Mall, Стэнфорд, Калифорния, -4034, США.
• ⁴ Факультет электротехники, Стэнфордский университет, 350 Serra Mall, Стэнфорд, Калифорния, , США.
• ⁵ Лаборатория Кавендиша, Кембриджский университет, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, UK.
• ⁶ Факультет естественных наук, Университет Средней Швеции, Holmgatan 10, Sundsvall, 852 30, Швеция.
• ⁷ Институт материаловедения Барселоны (ICMAB-CISC), Campus de la UAB, 08193, Беллатерра, Испания.
• ⁸ Институт молекулярной инженерии Чикагского университета, 5640S Ellis Avenue, Чикаго, Иллинойс, 60637, США.
• ⁹ Передовой технологический институт Samsung, 130 Самсон-ро, Сувон, 16678, Южная Корея. [email protected].
• ¹⁰ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, 443 Виа Ортега, Стэнфорд, Калифорния, -4125, США. [email protected].

• PMID:

  31213599

• PMCID:

  PMC6582140

• DOI:

  10.1038/s41467-019-10569-3

Бесплатная статья ЧВК

F Молина-Лопес и соавт.

Нац коммун.

2019 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2019 18 июня; 10 (1): 2676.

doi: 10.1038/s41467-019-10569-3.

Авторы

Ф Молина-Лопес
¹

2
, ТЗ Гао
³
, У Крафт
⁴

5
, Чжу
⁴
, Т Олунд
¹

6
, Р Пфаттнер
¹

7
, В. Р. Фейг
³
, Ю Ким
⁴
, С. Ван
¹

8
, Ю Юнь
⁹
, З Бао
¹⁰

Принадлежности

• ¹ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, 443 Виа Ортега, Стэнфорд, Калифорния, -4125, США.
• ² Кафедра материаловедения, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44, 3001, Leuven, Бельгия.
• ³ Факультет материаловедения и инженерии, Стэнфордский университет, 496 Lomita Mall, Стэнфорд, Калифорния, -4034, США.
• ⁴ Факультет электротехники, Стэнфордский университет, 350 Serra Mall, Стэнфорд, Калифорния, , США.
• ⁵ Кавендишская лаборатория, Кембриджский университет, Дж. Дж. Томсон-авеню, Кембридж, CB3 0HE, Великобритания.
• ⁶ Факультет естественных наук, Университет Средней Швеции, Holmgatan 10, Sundsvall, 852 30, Швеция.
• ⁷ Институт материаловедения Барселоны (ICMAB-CISC), Campus de la UAB, 08193, Беллатерра, Испания.
• ⁸ Институт молекулярной инженерии Чикагского университета, 5640S Ellis Avenue, Чикаго, Иллинойс, 60637, США.
• ⁹ Передовой технологический институт Samsung, 130 Самсон-ро, Сувон, 16678, Южная Корея. [email protected].
• ¹⁰ Факультет химического машиностроения, Стэнфордский университет, 443 Виа Ортега, Стэнфорд, Калифорния, -4125, США. [email protected].

• PMID:

  31213599

• PMCID:

  PMC6582140

• DOI:

  10.1038/с41467-019-10569-3

Абстрактный

Носимая электроника и электроника для кожи извлекают выгоду из механически мягких и растяжимых материалов, чтобы соответствовать изогнутым и динамическим поверхностям, тем самым обеспечивая бесшовную интеграцию с человеческим телом. Однако такие материалы сложно обрабатывать с использованием традиционных методов микроэлектроники. Здесь растягиваемые массивы транзисторов формируются исключительно из раствора путем струйной печати полимеров и углеродных нанотрубок. Аддитивная, бесконтактная и безмасочная природа струйной печати обеспечивает простой, недорогой и масштабируемый способ укладки этих химически чувствительных материалов и нанесения рисунка на большие площади. Транзисторы, стабильные в условиях окружающей среды, демонстрируют подвижность до 30 см ² В ^-1 s ^-1 и токи на ширину канала 0,2 мА см ^-1 при рабочем напряжении до 1 В из-за ионного характера их печатного диэлектрика затвора. Кроме того, эти транзисторы с двухслойным емкостным диэлектриком могут имитировать синаптическое поведение нейронов, что делает их интересными для конформных интерфейсов мозг-машина и другой носимой биоэлектроники.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Цифры

Рис. 1

Общая концепция и конструкция. а…

Рис. 1

Общая концепция и конструкция. a Эскиз внутренне растягиваемой матрицы транзисторов, представляющей…

рисунок 1

Общая концепция и дизайн. a Эскиз внутренне растягиваемой матрицы транзисторов, показывающий, как каждый активный материал транзистора был аддитивно изготовлен с использованием одного и того же метода струйной (IJ) печати. Эти материалы использовались для формирования: электродов истока (S), стока (D) и затвора (G), межсоединений истока и стока, диэлектрика затвора, канала и сквозных герметизирующих переходных отверстий. Штриховая линия соответствует месту поперечного сечения, показанному на рис. 9.0444 б . б Эскиз поперечного сечения устройства, где промаркирован материал каждого слоя. c Изображение массива транзисторов IJ, напечатанное на большой площади и изогнутое над рукой

Рис. 2

Детальное изготовление струйной…

Рис. 2

Детальное изготовление растяжимого однослойного полевого транзистора из углеродных нанотрубок (SWCNT-FET), напечатанного методом струйной печати (IJ)…

Рис. 2

Детальное изготовление массивов растяжимых однослойных полевых транзисторов из углеродных нанотрубок (SWCNT-FET), напечатанных струйной (IJ) печатью. Этапы процесса пронумерованы и представлены в хронологическом порядке изготовления вместе с упрощенным трехмерным (3D) эскизом или эскизом поперечного сечения. Репрезентативные оптические изображения устройств после некоторых шагов также добавлены для ясности. Топографии амплитуд атомно-силовой микроскопии (АСМ) на вставке в левом нижнем углу рисунка соответствуют шагу №5. На нем показано, как плотность SWCNT (количество трубок на площадь поверхности) сетей полупроводников (SC)-SWCNT, напечатанных IJ, можно легко настроить с помощью количества проходов печати: сеть, полученная в результате 1, 5 и 10 проходов печати на SiO ₂ подложка показана после удаления сортирующего полимера. Масштабная линейка = 200 мкм с шагом: 1 (увеличение), 3, 9 и 17. Масштабная линейка = 1 мм с шагом: 1, 10 и 12

Рис. 3

Электрические характеристики струйного…

Рис. 3

Электрические характеристики растяжимых полевых транзисторов (FET), напечатанных струйной (IJ) печатью. a Передача…

Рис. 3

Электрические характеристики растяжимых полевых транзисторов (FET), напечатанных струйной (IJ) печатью. a Передаточная кривая и квадратный корень из тока исток-сток √− I _ds в зависимости от напряжения на затворе ( В _gs ) характерного одностенного полевого транзистора из углеродных нанотрубок, напечатанного методом IJ -ФЭТ). b Карта максимального тока сток-исток (− I _ds,max ) в режиме насыщения для каждого полевого транзистора в массиве 5 × 3. Ненанесенные на график устройства не работали. c Выходные характеристики при различных напряжениях затвора. W / L всех устройств были 1000 мкм/50 мкм. d Перекрывающиеся кривые передачи SWCNT-FET, напечатанного IJ, подвергнутого различным условиям деформации вдоль двух основных направлений: перпендикулярно (слева) и параллельно (справа) длине канала. e Карта − I _ds,max в режиме насыщения для каждого полевого транзистора в массиве 3 × 2 недеформированных и растянутых на 10% в направлениях, перпендикулярных (perp) и параллельных (para) длине канала. Текущие измерения при растяжении доступны только для некоторых репрезентативных устройств из-за ограничений настройки и потери производительности в результате тяжелого обращения, связанного с экспериментом по растяжению. f Снимки с оптического микроскопа некоторых транзисторов, растянутых при деформации 20% в двух основных направлениях. Пунктирные линии служат для выделения изменения размера растянутых транзисторов по сравнению с эталонным транзистором (0% деформации) в середине. Масштабная линейка 1 мм

Рис. 4

Синаптическое поведение струйного…

Рис. 4

Синаптическое поведение струйных (IJ) растяжимых полевых транзисторов (FET). a Источник-слив…

Рис. 4

Синаптическое поведение растяжимых полевых транзисторов (FET), напечатанных на струйной (IJ) печати. a Изменение тока исток-сток (Δ I _ds , на левой оси) отклик во времени на небольшие импульсы напряжения затвора ( V _gs , на правой оси), который имитирует всплески пресинаптического потенциала нейрона для Полевые транзисторы с Вт / L  = 1000 мкм/50 мкм. Импульсы состоят из прямоугольного сигнала с амплитудой -80 мВ (помимо начального напряжения смещения -0,6 В, приложенного в течение достаточного времени, чтобы обеспечить полное формирование канала), частотой 25 Гц и рабочим циклом 50 %. Напряжение сток-исток поддерживалось на уровне -1,1 В. Реакция тока исток-сток проверена для последовательных последовательностей 1, 2, 16 (увеличено в 9 раз).0444 b ) и 32 импульса напряжения затвора, демонстрирующие типичное изменение постсинаптического тока, которое увеличивается с количеством импульсов и ослабевает в их отсутствие (чем больше количество импульсов, тем больше время релаксации). b Увеличение части сигнала, ограниченной пунктирной рамкой в ​​ a . Пульсации в Δ I _ds , наблюдаемые для каждого отдельного импульса всего в −80  мВ, подчеркивают хорошее разрешение устройств по напряжению. c Изменение тока исток-сток (Δ I _ds , на левой оси) во времени для тех же устройств при подаче на затвор последовательности импульсов напряжения. Последовательности импульсов имеют рабочий цикл 50% и вводятся таким образом, что каждая последовательность отличается от первой (контрольной) либо: (1) количеством импульсов (40 импульсов для 2-й последовательности против 20 для контрольной). ), (2) амплитуда (-80  мВ для 3-й серии по сравнению с -40  мВ для контроля) или (3) частота (50  Гц для 4-й серии по сравнению с 25  Гц для контроля). Ток исток-сток реагирует на все три фактора в соответствии с краткосрочной синаптической пластичностью, т. е. чем больше число импульсов, их амплитуда и период, тем выше вариация производимого тока и тем больше времени требуется для устройств. расслабиться, вернуться к равновесию. Второй набор импульсов с противоположным знаком напряжения генерирует также изменение тока с противоположным знаком, демонстрируя, что устройства способны к симметричному возбуждающему и тормозному постсинаптическому току

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• Электроника кожи из масштабируемого изготовления массива транзисторов с возможностью растяжения.

  Ван С. , Сюй Дж., Ван В., Ван Г.Н., Растак Р., Молина-Лопес Ф., Чанг Дж.В., Ню С., Фейг В.Р., Лопес Дж., Лей Т., Квон С.К., Ким И., Фуде А.М., Эрлих А., Гасперини А, Юнь Ю, Мурманн Б, Ток Дж. Б., Бао З.
  Ван С. и др.
  Природа. 2018 март 1 555 (7694):83-88. дои: 10.1038/nature25494. Epub 2018 19 февраля.
  Природа. 2018.

  PMID: 2

  34

• Высокопроизводительные массивы транзисторов из органической нанопроволоки, полностью обработанные раствором, с узорчатыми электродами, нанесенными методом струйной печати.

  Лю Н., Чжоу Ю., Ай Н., Луо С., Пэн Дж., Ван Дж., Пей Дж., Цао Й.
  Лю Н и др.
  Ленгмюр. 2011 20 декабря; 27 (24): 14710-5. doi: 10.1021/la2033324. Epub 2011 11 ноября.
  Ленгмюр. 2011.

  PMID: 22043855

• Электроника, вдохновленная кожей: новая парадигма.

  Ван С., О ЧЖИ, Сюй Дж., Тран Х., Бао З.
  Ван С. и др.
  Acc Chem Res. 2018 15 мая; 51 (5): 1033-1045. doi: 10.1021/acs.accounts.8b00015. Epub 2018 25 апр.
  Acc Chem Res. 2018.

  PMID: 296

  Обзор.

• Функционализированные органические тонкопленочные транзисторы для биодатчиков.

  Ван Н, Ян А, Фу Ю, Ли Ю, Ян Ф.
  Ван Н и др.
  Acc Chem Res. 2019 19 февраля; 52 (2): 277-287. doi: 10.1021/acs.accounts.8b00448. Epub 2019 8 января.
  Acc Chem Res. 2019.

  PMID: 30620566

  Обзор.

• Растягивающиеся углеродные нанотрубки, память с плавающим затвором и логические устройства с ловушкой заряда для носимой электроники.

  Сон Д., Ку Дж. Х., Сонг Дж. К., Ким Дж., Ли М., Шим Х. Дж., Пак М. , Ли М., Ким Дж. Х., Ким Д. Х.
  Сон Д и др.
  АКС Нано. 2015 26 мая; 9(5): 5585-93. doi: 10.1021/acsnano.5b01848. Epub 2015 23 апр.
  АКС Нано. 2015.

  PMID: 25897592

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Высокая плотность интеграции растяжимых неорганических тонкопленочных транзисторов с превосходными характеристиками и надежностью.

  Oh H, Oh JY, Park CW, Pi JE, Yang JH, Hwang CS.
  О Х и др.
  Нац коммун. 2022 авг 24;13(1):4963. doi: 10.1038/s41467-022-32672-8.
  Нац коммун. 2022.

  PMID: 36002441
  Бесплатная статья ЧВК.

• Вязкоупругий гель-эмульсия металл-в-воде с помощью соединения «хозяин-гость» для печатных и активируемых напряжением растягивающихся электродов.

  Ван Ц, Цзи С, Лю С, Лю И, Лян Дж.
  Ван Кью и др.
  АКС Нано. 2022 4 августа; 16 (8): 12677-85. doi: 10.1021/acsnano.2c04299. Онлайн перед печатью.
  АКС Нано. 2022.

  PMID: 359
  Бесплатная статья ЧВК.

• Обработка импульсных сигналов с несколькими входами, не относящимися к фон Нейману, с помощью искусственного синаптического мультиплексора.

  Хо Д.Х., Роу Д.Г., Чой Й.Ю., Ким С., Чой Й.Дж., Ким Д.Х., Джо С.Б., Чо Дж.Х.
  Хо Д.Х. и др.
  Научная реклама 2022 Июн 24;8(25):eabn1838. doi: 10.1126/sciadv.abn1838. Epub 2022 22 июня.
  Научная реклама 2022.

  PMID: 35731885
  Бесплатная статья ЧВК.

• Аддитивное производство проводящих полимеров: последние достижения, проблемы и возможности.

  Криадо-Гонсалес М. , Домингес-Альфаро А., Лопес-Ларреа Н., Алегрет Н., Месеррейес Д.
  Криадо-Гонсалес М. и соавт.
  ACS Appl Polym Mater. 2021 11 июня; 3(6):2865-2883. doi: 10.1021/acsapm.1c00252. Epub 2021 1 июня.
  ACS Appl Polym Mater. 2021.

  PMID: 35673585
  Бесплатная статья ЧВК.

  Обзор.

• Полностью растяжимые транзисторы из углеродных нанотрубок со стирол-этилен-бутилен-стиролом в качестве диэлектриков затвора, интегрированные с помощью процесса на основе фотолитографии.

  Цзяо Х., Чжан М., Ду С., Чжан З., Хуан В., Хуан Ц.
  Цзяо Х и др.
  RSC Adv. 2020 25 февраля; 10 (14): 8080-8086. дои: 10.1039/c9ra10534d. Электронная коллекция 2020 24 февраля.
  RSC Adv. 2020.

  PMID: 35497813
  Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

использованная литература

1. 1. Сомея Т. , Бао З., Маллиарас Г.Г. Расцвет пластиковой биоэлектроники. Природа. 2016; 540:379–385. дои: 10.1038/nature21004.

      —

      DOI

      —

      пабмед

2. 1. Чортос А., Лю Дж., Бао З. В поисках протеза электронной кожи. Нац. Матер. 2016;15:937–950. DOI: 10.1038/nmat4671.

      —

      DOI

      —

      пабмед

3. 1. Ким Дж. и др. Эластичная электроника на основе кремниевых нанолент для кожных протезов. Нац. коммун. 2014; 5:1–11.

      —

      пабмед

4. 1. Васкес-Кинтеро, А., Верпланке, Р., Де Смет, Х. и Ван Флетерен, Дж. Растягивающаяся электронная платформа для применения мягких и интеллектуальных контактных линз. Доп. Матер. Технол. 2, 1700073 (2017).

5. 1. Цянь Ю и др. Растяжимые органические полупроводниковые устройства. Доп. Матер. 2016;28:9243–9265. doi: 10.1002/adma.201601278.

      —

      DOI

      —

      пабмед

Типы публикаций

термины MeSH

вещества

Грантовая поддержка

• P2ELP2_155355/Schweizerischer Nationalfonds zur Förderung der Wissenschaftlichen Forschung (Швейцарский национальный научный фонд)/International
• DE-SC0016523/США Министерство энергетики (DOE)/Международное

Транзистор с крутым наклоном, сочетающий фазовый переход и межполосное туннелирование для достижения коэффициента тела, меньшего единицы

Abstract

Транзисторы с крутым наклоном позволяют уменьшить напряжение питания и энергию на вычисленный бит информации по сравнению с обычными полевыми транзисторами (FET) из-за их подпорогового колебания менее 60 мВ / декада при комнатной температуре. В настоящее время реализуемые подходы к достижению такого субтермионного подпорогового колебания заключаются в альтернативных механизмах инжекции носителей, таких как квантово-механическое межзонное туннелирование (BTBT) в туннельных полевых транзисторах или резкое фазовое изменение в устройствах с переходом металл-изолятор (MIT). Сильные стороны BTBT и MIT были объединены в архитектуре гибридного устройства, называемого туннельным полевым транзистором с фазовым переходом (PC-TFET), в котором резкое MIT в диоксиде ванадия (VO ₂ ) снижает подпороговый размах полевых транзисторов на основе нанопроволоки из напряженного кремния. В этой работе мы демонстрируем, что принцип, лежащий в основе низкого размаха в PC-TFET, связан с субъединичным коэффициентом тела, достигаемым за счет внутреннего дифференциального усиления напряжения затвора. Мы изучаем влияние температуры на коэффициент переключения и размах PC-TFET, сообщая о таких низких значениях, как 4,0 мВ/декада при 25 °C, 7,8 мВ/декада при 45 °C. Мы обсудим, как уникальные характеристики PC-TFET открывают новые перспективы, помимо полевых транзисторов и других транзисторов с крутым наклоном, для маломощной электроники, аналоговых схем и нейроморфных вычислений.

Введение

Комплементарная технология металл-оксид-полупроводник (КМОП) уже несколько десятилетий является основой микро/наноэлектроники. В деннардовскую эпоху масштабирования МОП-транзисторов чрезвычайные улучшения с точки зрения скорости переключения, плотности устройств, функциональности и стоимости были достигнуты за счет аддитивного применения нескольких технологических ускорителей, таких как проектирование подложек, деформация, многозатвор, high-k/metal. стеки ворот и высокомобильные материалы каналов. Однако концепция полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) осталась неизменной. В последнее время агрессивное масштабирование размеров затвора до нескольких десятков нанометров сталкивается с серьезными проблемами с точки зрения изменчивости процесса, высокой мощности утечки, немасштабируемого напряжения питания и ухудшенных коэффициентов переключения тока ¹ .

Поиск нового переключателя, выходящего за пределы КМОП, направленный на решение проблемы масштабирования мощности утечки и напряжения, включает в себя новые концепции устройств и материалы, способные дополнять МОП-транзисторы и интегрироваться в передовые КМОП-платформы ^{2, 3} . Основной целью является снижение подпорогового колебания СС (= dV
_г / г бревно I
_d ), который в обычном полевом МОП-транзисторе ограничен 60  мВ/декада при комнатной температуре ( T  = 300 K) за счет механизма инжекции термоэмиссионных носителей ⁴ . Переключатель с крутым наклоном, с SS  < 60 мВ/декада, позволит снизить напряжение питания и обеспечить будущие вычисления с низким энергопотреблением ⁵ . Для этой цели были предложены различные принципы устройств с крутым наклоном, использующие отрицательную емкость ⁶ , подвижные электромеханические затворы ⁷ , ударную ионизацию ⁸ и туннельные полевые транзисторы (TFET) на основе -полосное туннелирование ⁹ (БТБТ). TFET в настоящее время считается наиболее многообещающим твердотельным переключателем с крутым наклоном среди альтернативных технологий, с экспериментально продемонстрированными значениями порядка 30  мВ/декаду при комнатной температуре ¹⁰ , в основном ограниченными диапазоном малых токов. Однако механизм туннельной проводимости ограничивает производительность устройства по току «включено», I
_на и частоту работы.

Недавно материалы с фазовым переходом, такие как коррелированные функциональные оксиды, были предложены в качестве многообещающего решения для КМОП-электроники. Внешнее возбуждение, применяемое к материалам с фазовым переходом, может вызвать фазовый переход, сопровождающийся резким изменением их свойств проводимости ^{11,12,13,14,15,16,17,18,19} . Одним из наиболее изученных материалов с фазовым переходом является диоксид ванадия (VO ₂ ), который демонстрирует переход металл-изолятор (MIT), соответствующий структурному фазовому переходу при критической температуре T
_MIT (340 K в массе VO ₂ ^20,21,22 ). При повышении температуры ВО ₂ выше Т
_MIT , материал переходит из моноклинной фазы в тетрагональную структуру рутила одновременно с закрытием энергетической щели Е
_g  ≈ 0,6 эВ в 3d-зоне проводимости и резкое падение удельного сопротивления, до 5 порядков в объеме VO ₂ . При понижении температуры VO ₂ переход обратно в моноклинную фазу наблюдается при значениях ниже T
_MIT , что приводит к возникновению гистерезиса, ширина которого зависит от качества материала. VO ₂ обладает большим потенциалом для электроники, выходящей за рамки КМОП, поскольку ПМИ может быть индуцирован электрическим возбуждением, что позволяет использовать приложения, основанные на энергозависимом резистивном переключении. ВО _{2 Переключатель MIT на основе} в 2-контактной конфигурации демонстрирует интересные свойства, такие как резкое увеличение тока при подаче напряжения ^{23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31} , быстрое время переключения ^{32, 33,34} , высокая надежность ^{35, 36} , отрицательное дифференциальное сопротивление ^37,38,39,40 , мемристивное переключение ^{41, 42} и низкотемпературная зависимость динамики перехода ^{43, 44} . Однако основным недостатком 2-контактного переключателя MIT является относительно высокий ток утечки я
_OFF из-за малой ширины запрещенной зоны VO ₂ в изолирующем состоянии. Хотя эта проблема может быть смягчена легированием VO ₂ ⁴⁵ , наиболее эффективным решением будет разработка 3-выводных переключателей, в которых канал VO ₂ выполняет управляемое затвором изменение фазы. Сначала была предпринята попытка разработки такого устройства со стандартными структурами MOSFET с использованием VO ₂ в качестве полупроводникового материала ⁴⁶ , но наблюдаемая модуляция проводимости напряжением затвора была ограничена небольшим процентом ^47,48,49,50 . Это стимулировало исследование использования электролитного затвора для получения очень сильных электрических полей на границе между VO ₂ и ионной жидкостью ^{51, 52} , вызывая более высокую модуляцию проводимости канала из-за создания кислородных вакансий ^{53, 54,55} или протонирование ⁵⁶ , но с более медленным временем переключения ^{57, 58} .

Чтобы преодолеть эти проблемы, был предложен туннельный полевой транзистор с фазовым переходом (PC-TFET) ⁵⁹ в качестве гибридной конструкции, объединяющей туннельный полевой транзистор и двухконтактный переключатель MIT, сочетающий сильные стороны двух устройств. и в результате появился первый полупроводниковый VO ₂ на базе 3-контактного коммутатора с одновременным очень низким I
_ВЫКЛ ток, высокий I
_НА / И
_OFF и сверхкрутое подпороговое колебание (рис. 1a), характеристики, которые не могут быть достигнуты по отдельности с помощью TFET или переключателя MIT. Передаточные характеристики PC-TFET качественно сравниваются с характеристиками TFET, используемого в качестве составной части на рис. 1b. Основной принцип работы PC-TFET заключается в обратной связи (путем соответствующего соединения затвора или истока) сверхрезкого переключения материала MIT в характеристику TFET, используемую для блокировки тока в выключенном состоянии. Изменение фазы в переключателе МИП соответствует напряжению срабатывания В
_{действует} (настраивается конструкцией компонента MIT), позволяя переключаться из состояния с высоким сопротивлением в состояние с низким сопротивлением, в котором ток соответствует передаточной характеристике TFET. Для идеальной производительности V
_{действие} двухконтактного переключателя MIT должно быть согласовано с пороговым напряжением TFET В
_th (определяется методом постоянного тока). На рисунках 1a и b также показано результирующее гистерезисное поведение PC-TFET, унаследованное от его компонента MIT. В этой работе мы подробно обсуждаем принцип PC-TFET, его интеграцию и метод извлечения фактора тела. Кроме того, мы дополнительно характеризуем PC-TFET, чтобы обсудить его температурную зависимость и возможные применения для аналоговых схем и нейроморфных вычислений.

Рисунок 1

Сравнение трех переключателей с крутым наклоном: TFET, MIT и предлагаемого PC-TFET. ( a ) Передаточные характеристики для PC-TFET и других переключателей с крутым наклоном (TFET, переключатель MIT), обеспечивающих более низкий подпороговый размах, чем у MOSFET. ( b ) Характеристики PC-TFET для различных значений порогового напряжения переключателя MIT В
_акт , по сравнению с передаточными характеристиками компонента TFET с пороговым напряжением В
_-й -й. Площади гистерезиса для трех различных значений V
_и выделены заштрихованными областями.

Изображение полного размера

Результаты

Гибридный PC-TFET: принцип

Принцип работы гибридного устройства PC-TFET для крутых наклонов заключается в одновременном использовании двух физических механизмов для снижения подпороговых коэффициентов качания m и n 9{n}$$

(1)

, в то время как использование междиапазонного туннелирования по своей сути предлагает простое решение потенциально ниже 60  мВ/декада n -фактора для снижения м , в В отличие от любых других предыдущих отчетов, мы не используем никакого принципа отрицательной емкости, а используем простую схемную технику, использующую резкое переключение в 2-выводном устройстве MIT, подключенном к делителю напряжения, помещенному в затвор или в исток TFET. Стоит отметить, что снижение фактора тела, м , TFET ниже 1, соответствует менее изученному подходу (ранее предложенному Ionescu ⁶⁰ ) для повышения резкости подпороговых характеристик TFET.

Далее мы изучаем две конструкции PC-TFET, в которых переключатель MIT подключен к затвору (рис. 2a, c, e, «конфигурация затвора») или к истоку (рис. 2b, d, f). , «исходная конфигурация») вывод TFET. В обоих случаях состояние ключа МИП контролируется напряжением затвора В
_GS и изменение фазы вызывает внутреннее дифференциальное усиление падения напряжения В
_{GS_INT} между выводами затвора и истока TFET (d V
_{GS_INT} / В
_GS  >> 1) приводит к резкому увеличению тока I
_ДС .

Рис. 2

Интеграция TFET с фазовым переходом в конфигурации затвора и истока. ( a , b ) 3D принципиальные схемы PC-TFET интегрирующих вертикальных переключателей VO ₂ . ( c , d ) 3D принципиальные схемы PC-TFET интегрирующих планарных переключателей VO ₂ . ( e , f ) Эквивалентные схемы, показывающие внутреннее напряжение затвора TFET В
_{GS_INT} усиление за счет изменения фазы переключателя MIT, индуцированного внешним напряжением затвора В
_ГС .

Полноразмерное изображение

На рис. 2a показана гибридная конструкция, объединяющая 3-контактный TFET и 2-контактный переключатель VO ₂ для получения конфигурации затвора PC-TFET. Тонкая пленка VO ₂ наносится поверх вывода затвора TFET, а второй металлический слой используется для контакта с ним и определяет электрод затвора PC-TFET. Эта же конструкция может быть адаптирована к конфигурации источника, показанной на рис. 2б, где ВО ₂ переключатель построен поверх терминала источника TFET. Альтернативная конструкция с использованием планарных переключателей VO ₂ показана на рис. 2c для конфигурации затвора и на рис. 2d для конфигурации истока.

На рисунке 2e представлена ​​эквивалентная схема и распределение напряжения для PC-TFET в конфигурации с затвором. Сопротивление нагрузки R
_L используется для обеспечения протекания тока, достаточного для достижения порога мощности VO ₂ переключатель ⁴³ . Стоимость р
_L выбран для того, чтобы иметь R
_{VO2_OFF}  >>  Ч
_Л  >>  П
_{ВО2_ОН} , где Р
_{VO2_OFF} — сопротивление переключателя МИТ в изолированном состоянии, а R
_{ВО2_ОН} — сопротивление в металлическом состоянии. Как В
_GS нарастает в этой конфигурации, материал VO ₂ изначально находится в высокоомном состоянии, следовательно, большая часть падений напряжения на переключателе MIT ( В
_VO2  ≈  В
_ГС ) и В
_{GS_INT} остается низким. Как только напряжение станет достаточно высоким, чтобы вызвать металлическое состояние VO ₂ , В
_VO2 падает до очень низкого значения и В
_{GS_INT} испытывает резкий переход к значению, приближающемуся к В
_ГС .

На рисунке 2f представлены эквивалентная схема и распределение напряжения для PC-TFET в конфигурации источника. В этом случае переключатель MIT подключен к клемме внутреннего источника TFET, и оба внутренних напряжения падают В
_{GS_INT} и В
_{DS_INT} меняются при развертке В
_GS в зависимости от V
_VO2 , такой что V
_ГС  −  В
_{GS_INT}  =  В
_ДС  −  В
_{DS_INT}  =  В
_ВО2 . Для низких значений В
_GS , материал VO ₂ находится в изолирующем состоянии, но сопротивление канала TFET намного выше, что эффективно блокирует утечку через переключатель MIT и поддерживает низкий уровень I
_ВЫКЛ ток. Отсюда В
_{GS_INT} следует за В
_ГС . Увеличение В
_GS , туннельный ток постоянно увеличивается, пока сопротивление TFET не станет сравнимым с R
_{VO2_OFF} . В этот момент рост V
_{GS_INT} уменьшается, и переключатель MIT приближается к своему порогу мощности. Как только VO ₂ переходит в металлическое состояние, В
_{GS_INT} резко переходит к значениям, близким к В
_ГС . Понятно, что конфигурация источника очень подходит для наименьшего энергопотребления и агрессивного масштабирования, поскольку не требует дополнительного нагрузочного резистора (которым является сам TFET) и в такой нагрузке нет рассеиваемой мощности. Однако, как будет показано позже, конфигурация затвора особенно интересна своими более крутыми характеристиками.

Конфигурация источника аналогична описанному ранее решению на основе транзисторов III–V FinFET и переключателей VO ₂ ⁶¹ . Однако в этой работе использовались классические FinFET с термоэлектронным подпороговым размахом и с очень высоким током утечки, чтобы вызвать изменение фазы в VO ₂ и, как следствие, I .
_НА / И
_{OFF Соотношение} было ограничено до 4 × 10 ² и область резкого переключения наблюдалась менее чем за декаду тока, в то время как PC-TFET достигает одновременно низких I
_ВЫКЛ. и высокий I
_НА / И
_ВЫКЛ соотношение.

PC-TFET в конфигурации затвора

Экспериментальная демонстрация PC-TFET была достигнута путем изготовления и определения характеристик TFET и VO _{2 переключателя} , подключенных, как описано в предыдущем разделе (рис. 2e,f). В ходе экспериментальных испытаний дважды прогоняется напряжение на затворе и регистрируется напряжение внутреннего узла высокоимпедансным вольтметром во всем диапазоне работы устройства. Это позволяет нам тщательно рассчитать внутреннее усиление и влияние точки перехода MIT на характеристики TFET, извлекая его собственные напряжения затвора и стока.

TFET, используемые в этой работе, основаны на технологии нанопроволоки (NW) с напряженным кремниевым затвором (GAA) ^{62, 63} с сечением СЗ 40 × 5 нм ² и длиной затвора 350 нм. Для обеспечения маломощной конструкции PC-TFET необходимо минимизировать порог мощности переключателя MIT. На основе электротермической модели, рассматривающей джоулев нагрев в качестве пускового механизма для резкого перехода ПМИ ^{26, 64} , удобная геометрия устройства достигается за счет уменьшения объема VO ₂ между двумя электродами переключателя ПМИ ⁶⁵ . В данной работе такое маломощное срабатывание МИП-переключателя достигается за счет изготовления планарных переключателей с нанозазором на основе Si/SiO 9 .0488 2 подложка, ограничивающая объем VO ₂ между электродами до значений до 200 × 100 × 100 нм ³ конечное устройство).

На рис. 3а показаны модели I .
_ДС — В
_GS характеристики TFET для разных значений В
_DS , в диапазоне от -0,25   В до -1   В. TFET смещен при В
_DS  = −0,75 V имеет очень низкий уровень I
_ВЫКЛ.  = 69,1 пА, очень хорошо I
_НА / И
_ВЫКЛ  = 1,0 × 10 ⁷ Коэффициент, малая утечка затвора I
_G  < 8 нА до В
_GS  = −2 В (см. Дополнительный рисунок 3) и хороший средний подпороговый наклон за 4 декады тока: SS
_TFET  = ∂ В
_GS /∂log ₁₀ ( I
_DS ) = 112 мВ/декада. На рис. 3б представлены ВАХ переключателя ВО ₂ при различных температурах в диапазоне от 25 °С до 55 °С. Резистор 1 кОм подключен последовательно к переключателю MIT, чтобы ограничить ток в металлическом состоянии и предотвратить чрезмерный перегрев устройства. Конструкция переключателя была оптимизирована для использования в PC-TFET, обеспечивая низкое напряжение срабатывания В
_акт  = −0,93 В при комнатной температуре, крутой наклон перехода ( SS
_VO2  = 18,7 мВ/декада) и способность к высокому уровню I
_ВКЛ ток. Переход представляет собой ограниченную ширину гистерезиса (<0,2 В при комнатной температуре), когда напряжение снимается и переключатель возвращается в выключенное состояние. При повышении температуры напряжение срабатывания уменьшается, а я
_ON и наклон остаются стабильными ( SS
_VO2  = 17,7 мВ/декада при 35 °C, 23 мВ/декада при 45 °C) до достижения значений около T
_MIT , где теряется резкий переход. Такое поведение можно объяснить с помощью модели электротермического срабатывания, основанной на джоулевом нагреве ⁶⁶ .

Рис. 3

Экспериментальная демонстрация TFET с фазовым переходом в конфигурации с затвором. ( а ) я
_ДС — В
_ГС Передаточная характеристика ТПТ для различных применений В
_ДС . ( b ) ВАХ переключателя ВО ₂ , измеренные при различных температурах с последовательным сопротивлением 1 кОм. ( с ) я
_ДС — В
_GS получено комбинацией (a) и (b) в конфигурации затвора с сопротивлением нагрузки R
_L  = 1 кОм между клеммой затвора и землей и приложенным В
_DS  = −0,75 В ( d ) Внутреннее напряжение затвора В
_{GS_INT} смещение TFET в зависимости от внешнего воздействия В
_ГС .

Полноразмерное изображение

На рисунке 3c показан I
_ДС — В
_GS характеристики PC-TFET в затворной конфигурации при различных температурах, смещенных на В
_ДС  = −0,75 В и с использованием сопротивления нагрузки R
_L  = 1 кОм. Различные значения Р
_L позволяют смещать V
Уровень _{GS_act} , необходимый для индукции фазового перехода (как описано в дополнительных измерениях, представленных на дополнительном рисунке 4). Как только VO ₂ претерпевает фазовый переход в низкоомное состояние, мы наблюдаем резкий рост I
_ДС по току до значений, близких к значениям ТПТ при тех же условиях смещения. PC-TFET при комнатной температуре имеет более низкие я
_ВЫКЛ.  = 29,5 пА (12,3 пА/мкм, нормализованное по ширине TFET), чем у TFET, сопоставимо I
_НА / И
_OFF соотношение (5,5 × 10 ⁶ ) и подпороговая крутизна, значительно превосходящая характеристики современных устройств TFET, о которых сообщалось на сегодняшний день: SS
_{PC_TFET}  = 4,0 мВ/декада при 25 °C, 7,8 мВ/декада при 45 °C. Это связано с внутренним усилением В
_{GS_INT} , показанный на рис. 3d, на котором мы наблюдаем очень крутой переход от низких уровней напряжения к значениям, близким к пороговому напряжению TFET (например, от −0,14 В до −0,49 В при комнатной температуре в пределах В).
_GS  = шаг 10 мВ). Выходные характеристики PC-TFET в конфигурации затвора представлены на дополнительном рисунке 5. Из-за относительно значительного энергопотребления резистивного делителя на выводе затвора, практически продиктованного VO ₂ (см. рис. 3b), PC-TFET в затворной конфигурации не дает существенных преимуществ для маломощной электроники. Однако очень резкий переход в конфигурации затвора PC-TFET можно использовать для приложений аналоговых схем, таких как буферный генератор, управляемый напряжением (см. Дополнительный рисунок 6).

PC-TFET в исходной конфигурации

На рис. 4a показан I
_ДС — В
_GS характеристики компонента TFET, используемого для реализации PC-TFET в исходной конфигурации для различных значений В
_DS , в диапазоне от -0,25 В до -1,5 В. TFET измерен при T  = 55 °C и смещен при В
_DS  = −0,75 V представляет среднее подпороговое колебание SS
_TFET  ≈ 180 мВ/дек и коэффициент тока 6,3 × 10 ⁵ в окне напряжения затвора 2 В. На рис. 4б показаны ВАХ используемого в данном случае переключателя ВО ₂ с последовательным сопротивлением 3 кОм. Напряжение срабатывания уменьшается с температурой от −2,61 В при 25 °C до −1,19 В при 55 °C, при этом крутой наклон сохраняется вплоть до значений, приближающихся к T
_{Массачусетский технологический институт} ( нержавеющая сталь
_VO2  = 11,9 мВ/декада при T  = 25 °C, 22,3 мВ/декада при T  = 55 °C).

Рис. 4

Экспериментальная демонстрация TFET с фазовым переходом в конфигурации источника. ( и ) я
_ДС — В
_GS передаточная характеристика компонента TFET для различных применений V
_DS измерено при T  = 55 °C. ( б ) ВАХ ВО ₂ переключатель, измеренный при различных температурах с последовательным сопротивлением 3 кОм. ( с ) я
_ДС — В
_GS PC-TFET, полученный путем введения переключателя VO ₂ в клемму источника TFET; измерения выполнены при T  = 55 °C с приложенным внешним V
_ДС  = −2 В.( d ) Собственное напряжение затвора TFET В
_{GS_INT} и напряжение стока В
_{DS_INT} по сравнению с прикладным В
_ГС .

Полноразмерное изображение

На рис. 4c изображен I
_ДС — В
_GS характеристики PC-TFET в исходной конфигурации. В
_DS был повышен до -2 В, а измерение сообщается при 55 °C, чтобы достичь уровней тока, необходимых для индукции перехода при В
_GS  < 4 В. PC-TFET в конфигурации источника сочетает в себе сильные стороны двухкомпонентных устройств, обеспечивая высокое I
_НА / И
_{ВЫКЛ. Коэффициент} , низкий я
_ВЫКЛ. ток и низкий уровень I
_G утечка затвора сравнима с TFET, а подпороговый наклон аналогичен таковому у переключателя VO ₂ ( SS
_{PC_TFET}  = 20,6 мВ/дек). Субтермическое (<60  мВ/дек) значение наклона при переходе с изменением фазы связано с аналогичным механизмом усиления внутреннего напряжения затвора, используемым для конфигурации затвора, с той разницей, что как собственные напряжения затвора, так и напряжения стока резко переключаются одновременно: В
_{GS_INT}  =  В
_ГС  −  Р
_VO2 · I
_Д и В
_{DS_INT}  =  В
_ДС  −  Р
_VO2 · I
_D (см. рис. 4г). Однако, как показано на рис. 4г, в этом случае усиление происходит для значений В
_{GS_INT} выше порога TFET (от −2,54 В до −3,31 В в пределах В
_GS  = шаг 10 мВ), что приводит к менее резкому увеличению I
_ДС . Более того, наши эксперименты показывают, что V
_{DS_INT} изменение при подметании В
_GS количественно менее важен, чем эффект d В
_{GS_INT} /д В
Усиление _G (см. Дополнительный рисунок 7).

Выходные характеристики гибридного PC-TFET в конфигурации источника представлены на рис. 5a, указывая на очень специфическое поведение, которое можно было бы в дальнейшем использовать в энергоэффективных логических или нейроморфных схемах. Изменение фазы ВО ₂ вызывает очень резкое переключение выходных характеристик PC-TFET, соответствующее по абсолютной величине выше В
_{GS_INT} и выше V
_{DS_INT} , как показано на рис.  5b. Выходные характеристики PC-TFET наследуют от точек перехода MIT гистерезисное поведение, которое напрямую влияет на эффективный ток возбуждения (из-за другой траектории выходных характеристик при логическом переключении), если такое устройство используется для создания КМОП-инверторов. . Более того, низкий ток утечки в PC-TFET, незначительный по отношению к току стока во всей области работы (см. Дополнительный рис. 8), делает его перспективным для энергоэффективных реализаций нейроморфных схем на основе релаксационных генераторов 9.0248 67, 68 .

Рисунок 5

Выходные характеристики и переключение напряжения стока TFET с фазовым переходом в конфигурации истока. ( a ) Выходные характеристики PC-TFET в конфигурации источника для различных примененных В
_GS (в диапазоне от −2,75 В до −4 В), измерено при T  = 55 °C. ( b ) Собственное напряжение затвора TFET В
_{GS_INT} и напряжение стока В
_{DS_INT} по сравнению с прикладным В
_ДС .

Изображение полного размера

Уменьшение коэффициента тела в PC-TFET

Глубокое субтермическое переключение в PC-TFET можно объяснить субединичным коэффициентом тела из-за внутреннего усиления напряжения затвора. Связь между подпороговым наклоном и коэффициентом корпуса отражена в уравнении (1) с коэффициентом корпуса транзистора, равным 9.0514 м  = d В
_ГС /d Ψ
_S выражается как инверсия дифференциального усиления поверхностного потенциала по отношению к внешнему напряжению на затворе. В обычных полевых МОП-транзисторах коэффициент корпуса зависит от отношения емкостей между емкостью оксида затвора, C
_ox , а емкость истощения C
_д , м  = 1 +  С
_д / С
_ox , что дает нижнюю границу m  ≥  1. {-1}=(1+\frac{{C}_{{\rm{d} }}}{{C}_{{\rm{ox}}}})\frac{d{V}_{{\rm{GS}}}}{d{V}_{{\rm{GS} }\_{\rm{INT}}}}$$

(2)

следовательно, при максимальном внутреннем усилении PC-TFET G  = d В
_{GS_INT} /д В
_GS  >> 1, а учитывая, что в полностью истощенном корпусе приборов (1 +  C
_д / С
_ox )~1, следует, что m  << 1, показывая, что фактор тела является усилителем подпорогового колебания TFET. Мы извлекаем фактор тела из наших экспериментальных результатов, начиная с расчета поверхностного потенциала как функции В
_GS , как показано на рис. 6a для конфигурации затвора и на рис. 6b для конфигурации источника. На тех же рисунках мы включаем измеренное внутреннее усиление, G , экспериментальные значения которого используются для извлечения м с использованием уравнения (2). Значения Ψ
_С ( В
_GS ) получены с помощью технологии автоматизированного проектирования (TCAD) моделирования NW-TFET идентичных изготовленным конструкциям, смещенным на экспериментальные значения В
_{GS_INT} и В
_DS для конфигурации ворот (рис. 3d), V
_{GS_INT} и В
_{DS_INT} для исходной конфигурации (рис. 4d). Мы наблюдаем резкое изменение Ψ
_S (в результате получается очень низкий м ) в соответствии с V
_GS , для которых зафиксировано высокое усиление внутреннего усиления, подчеркивая ключевую роль внутреннего усиления в крутых характеристиках переключения PC-TFET.

Рис. 6

Поверхностный потенциал и фактор тела в фазовом переходе TFET. ( a , b ) Зависимость от V
_GS поверхностного потенциала, Ψ
_S и внутреннее усиление, G  = d V
_{GS_INT} /д В
_GS , для конфигураций затвора и истока. Опорный уровень поверхностного потенциала берется на клемме источника. ( c , d ) Фактор тела как функция I
_DS для конфигураций затвора и истока; пунктирные линии представляют м  ≥ 1 предел преодолен благодаря внутреннему В
_{GS_INT} усиление.

Полноразмерное изображение

На рис. 6c,d показаны м в зависимости от измеренного I
_DS соответственно для конфигураций затвора и истока. В обоих случаях экспериментально извлеченный коэффициент тела показывает значение менее 0,1 в переходной области. PC-TFET в конфигурации затвора имеет значение m ~0,05 (<<1) для более чем двух декад тока, от 0,43  нА до 142,3  нА при переходе от ВЫКЛ к ВКЛ и от 27,5  нА до 0,15  нА при переходе от ВЫКЛ к ВКЛ. PC-TFET в исходной конфигурации показывает аналогичные значения м (0,025 при переходе от ВЫКЛ к ВКЛ, 0,5 при переходе от ВКЛ к ВЫКЛ). Стоит отметить, что область низких значений м расширена на большее количество декад тока в конфигурации затвора из-за лучшего совмещения внутренних пиков усиления и пороговой области TFET.

Обсуждение

Мы сообщали о PC-TFET как о новом гибридном электронном переключателе с крутым наклоном, объединяющем два механизма крутого переключения в одном устройстве, и о его подробных характеристиках в широком диапазоне температур вплоть до значений, приближающихся к температуре перехода VO ₂ . Уникальное сочетание BTBT в TFET и MIT в VO ₂ приводит к превосходным показателям качества для цифровой электроники, такой как I .
_на / я
_{от отношения} лучше, чем 5,5 × 10 ⁶ , и подпороговое колебание ниже 10  мВ/дек за 3 декады токов. Мы наблюдаем слабую зависимость размаха PC-TFET в затворной конфигурации от температуры: от 4,0 мВ/дек при комнатной температуре до 7,8 мВ/дек при 45 °С. Кроме того, мы продемонстрировали, что основным механизмом резкого переключения является усиление напряжения на внутреннем затворе, что приводит к субединичному эквивалентному коэффициенту тела. Такой коэффициент корпуса ниже 1 для достижения субтермического переключения является гораздо более общим критерием проектирования, чем предыдущий принцип отрицательной емкости, который служит усилителем производительности как для TFET, так и для MOSFET. PC-TFET представляет собой важный шаг вперед, выходящий за рамки КМОП-электроники, впервые используя весь потенциал VO 9.0488 2 MIT в трехтерминальной архитектуре с электрическим управлением и открывает новые перспективы для маломощной электроники и нейроморфных вычислений.

Методы

Изготовление экспериментальных устройств

ВО ₂ Нанощелевые переключатели были изготовлены на кремниевой подложке с нанесенным сверху слоем SiO ₂ толщиной 200 нм. Слой VO ₂ был нанесен методом реактивного магнетронного распыления при 600 °C мишени из чистого ванадия, при этом подробные экспериментальные условия описаны в другом месте 9.0248 69 . Электрические контакты определяли с помощью электронно-лучевой литографии на ПММА/ММА и отрыва пленки платины толщиной 100 нм, нанесенной напылением. Затем участки ВО ₂ вокруг переключателя удаляются методами электронно-лучевой литографии на ЗЭП и ионно-лучевого травления. Напряженные кремниевые GAA TFET были изготовлены на подложке кремний-изолятор с использованием процесса, основанного на сегрегации легирующих примесей из NiSi ₂ ⁷⁰ .

Моделирование TCAD для извлечения поверхностного потенциала

Моделирование TCAD выполнялось с помощью Sentaurus TCAD Suite 2014. 09. Мы смоделировали напряженный кремниевый TFET с двойным затвором и толщиной канала T
_CH  = 5 нм, толщина оксида T
_OX  = 3 нм с HfO ₂ ( ε
_r  = 22) работа выхода металла затвора ϕ
_м  = 4,1 эВ, что соответствует TiN. Источник легирования Н
_S  = 1 × 10 ²⁰  см ⁻³ и легирование стока N
_D  = 1 × 10 ¹⁹  см ⁻³ с резкими переходами. Поскольку полупроводниковый слой очень тонкий, мы увеличили ширину запрещенной зоны на 70 мэВ, что соответствует квантованному состоянию эллипсоидов [100]. Однако это увеличение компенсируется напряжением нанопроволоки, что приводит к уменьшению общей ширины запрещенной зоны на Δ Е
_г  = −25 мэВ. Все смоделированные значения поверхностного потенциала, представленные в этой работе, взяты на 0,1 Å ниже границы раздела полупроводник-оксид. Графики поверхностного потенциала в зависимости от В
_GS (рис. 5a,b) взяты на туннельном переходе, а полный потенциальный профиль поперек канала представлен на дополнительном рисунке 9. . В 2009 2-й международный . Работа . Электронные устройства Semicond . Технол . 1–4, doi:10.1109/EDST.2009.5166100 (IEEE, 2009).

Ссылки на скачивание

Благодарности

Эта работа была поддержана грантом ERC Advanced Grant ‘Millitech’ Европейской комиссии, проект E ² SWITCH FP7 (грантовое соглашение № 257267), Швейцарский национальный научный фонд (грант № 144268) и Федерального управления энергетики Швейцарии (грант № 8100072).

Информация об авторе

Авторы и организации

1. Лаборатория наноэлектронных устройств (NanoLab), Федеральная политехническая школа Лозанны (EPFL), 1015, Лозанна, Швейцария

   Вольфганг А. Витале, Эмануэле А. Казу, Арнаб Бисвас, Теодор Рошка, 90 103 Ионеку, Джем Альпер и А.

2. Лаборатория солнечной энергии и строительной физики (LESO-PB), Федеральная политехническая школа Лозанны (EPFL), 1015, Лозанна, Швейцария

   Анна Краммер и Андреас Шулер

3. Институт Петера Грюнберга 9(PGI-9), Forschungszentrum Jülich, 52425, Jülich, Germany

   Gia V. Luong, Qing-T. Zhao & Siegfried Mantl

Авторы

1. Wolfgang A. Vitale

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

2. Emanuele A. Casu

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

3. Arnab Biswas

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

4. Teodor Rosca

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

5. Cem Alper

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

6. Анна Краммер

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

7. Gia V. Luong

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

8. Qing-T. Чжао

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

9. Siegfried Mantl

   Посмотреть публикации автора

   Вы также можете искать этого автора в
   PubMed Google Scholar

10. Andreas Schüler

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

11. A. M. Ionescu

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

Contributions

W.A.V., E.A.C. и А.Б. проводил опыты. W.A.V., E.A.C. и К.А. проанализировал данные. Т.Р. спроектированы и смоделированы схемные приложения. А.К. и в качестве. депонировал ВО ₂ пленки. Е. А.С. изготовлены выключатели ВО ₂ . Г.В.Л., К.-Т.З. и С.М. разработал и изготовил ТПТ. W.A.V. и А.М.И. написал рукопись. Все авторы обсудили результаты и прокомментировали рукопись. А.М.И. руководил общим исследовательским проектом.

Автор, ответственный за переписку

Вольфганг А. Витале.

Заявление об этике

Конкурирующие интересы

Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих интересов.

Дополнительная информация

Примечание издателя: Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

Электронные дополнительные материалы

Дополнительная информация

Права и разрешения

Эта работа находится под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License. Изображения или другие сторонние материалы в этой статье включены в лицензию Creative Commons на статью, если иное не указано в кредитной строке; если материал не включен в лицензию Creative Commons, пользователям необходимо будет получить разрешение от держателя лицензии на воспроизведение материала. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

Перепечатка и разрешения

Об этой статье

Дополнительная литература

• Трехмерные диаграммы Смита, параметры рассеяния, частотно-зависимый анализ ориентации и комплексно-скалярная многопараметрическая характеристика, применяемые к реконфигурируемым индукторам из диоксида ванадия Пеано

  • Андрей Александрович Мюллер
  • Алин Молдовяну
  • Адриан М. Ионеску

  Научные отчеты (2019)

• Устройства крутого переключения для маломощных приложений: полевые транзисторы с отрицательной дифференциальной емкостью/сопротивлением

  • Юна Ко
  • Джемин Шин
  • Чанхван Шин

  Наноконвергенция (2018)